Электронные процессы в низкоразмерных системах и наноструктурах

Построена теория нового акустоэлектрического эффекта, возникающего в двумерных нецентросимметричных многодолинных материалах, расположенных на подложке, по поверхности которой распространяется поверхностная акустическая волна типа Гуляева - Блюштейна. Показано, что, кроме стандартного вклада в ток увлечения, обусловленного звуковым давлением, акустоэлектрический ток содержит еще два специфических долинных вклада, происхождение которых обусловлено гофрировкой долин монослоя и вкладом фазы Берри в групповую скорость электронов. Предложен и теоретически исследован новый дизайн поляритонного топологического изолятора, в котором экситоны находятся в непосредственной близости к слою ферромагнитного материала, расположенного в микрополости. Изученная структура обладает различными топологическими фазами и позволяет управлять переходами между топологическими состояниями с различными числами Черна. Впервые обнаружено явление когерентного радиационного затухания в циклотронном резонансе поверхностных дираковских фермионов в трехмерных топологических изоляторах. Установлено, что в двухподзонной электронной системе одномерный периодический потенциал приводит не только к появлению соизмеримых осцилляций, но и к модуляции амплитуды магнито-межподзонных осцилляций. Полученные экспериментальные результаты объясняются формированием зон Ландау в квазидвумерной электронной системе с одномерной периодической модуляцией потенциала. Исследованы угловые зависимости интенсивности комбинационного рассеяния линейно и циркулярно поляризованного света на оптических фононах Si. Измерения проводились при Т = 300 К в геометрии обратного рассеяния от плоскостей (100), (111) и (110) Si. Спектры возбуждались линией Аr лазера с λ = 488 нм. Показано, что для LO-фононов величина углового момента равна нулю, а для TO-фононов она составляет 2ħ и 0 в зависимости от геометрии рассеяния.