ИКРБС
№ АААА-Б20-220032590092-6

СОЗДАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ НОВЫХ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ И ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ

15.01.2020

Исследованы новые материалы и конструкции фотоэлемента генератора мощного СВЧ-импульса; линейки и матрицы микромеханического приемника теплового излучения; методы консолидации нанопорошков для получения лазерных элементов больших размеров; технология плазмохимического синтеза пленок, графита, графена, оксида магния; алмазные пленки, пленки теллурида и селенида висмута, фотодетекторы; металл-оксидные и магнитные нанокомпозиты на базе оксида алюминия, алмазоподобного углерода, алмаз/SiC и (CoFeB)ₓ(LiNbOy)₁₀₀₋ₓ; полупроводниковые тонкопленочные структуры; пленки состава BaₓSr₁₋ₓTiO₃. В результате выполненного исследования была показана возможность усиления фототока за счёт микроканальной пластины; рассмотрен новый принцип генерации импульса ЭМИ на основе топологических изоляторов, оценена возможность создания матричной конструкции таких генераторов;изготовлена и испытана матрица микрокантилеверов. Чувствительность изготовленных матриц в порядке, величина близка к расчётной;предложен новый метод компактирования исходных порошков - литьё в присутствии внешнего давления. Расчёты и экспериментальные результаты показывают эффективность такого метода. Предложен, разработан и испытан новый тип плазмохимического реактора для осаждения углеродных пленок на основе разряда с полым катодом. Апробирована методика получения тонких графитовых пленок на сапфировой подложке методом отжига структуры (0001)Al₂O₃/(111)Ni/ta-C, обеспечивающая управление количеством атомарных слоев графита. Разработана методика осаждения эпитаксиальных пленок (111) MgO на сапфире с ориентацией (0001). Проведенный анализ показал наличие тонкого переходного слоя с признаками ромбоэдрической деформации. Разработана и апробирована численная модель формирования пучково-плазменного реактора, что позволяет рассчитать энергетические параметры и топологию ионного потока.Методами конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния и фотолюминесценции исследованы фазовые переходы в алмазных пленках. Созданы импульсные волоконные лазеры с пассивной модуляцией добротности с насыщающимся поглотителем на основе тонких пленок теллурида и селенида висмута. Получены селективные МПМ-фотодиоды на основе гетероструктур ZnSe/ZnS. В НК на базе DLC c включениями Cu обнаружено монополярное РП, связанное с изменением типа гибридизации (sp2 ↔ sp3) алмазоподобных промежутков; в НК на базе АОА, содержащего ансамбли нанонитей из включений Ni (30, 400 нм), разделенных Cu (20 нм), обнаружен магниторезистивный эффект, имеющий спинзависимую природу. Показано, что в транспортных и магнитных свойствах НК (Co₄₀Fe₄₀B₂₀)ₓ(LiNbO₃)₁₀₀₋ₓ существенную роль играют эффекты анизотропного поверхностного взаимодействия с участием магнитных ионов. Показана возможность хаотизации колебаний и сложения мощностей излучения микрополосковых антенн-генераторов при их использовании в качестве источников стохастических колебаний (шума) в диапазоне сверхвысоких частот. Проведены исследования МОП-структур со сверхтонким SiO₂ до и после стрессов. Сформированы пленки состава Ba₀,₈Sr₀,₂TiO₃ на p-Si и с p-Si подслоем платины.
ГРНТИ
47.09.29 Полупроводниковые материалы
47.33.33 Оптоэлектронные приборы
29.19.33 Диэлектрики
47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
МОЩНЫЙ ФОТОКАТОД
ТЕПЛОВИЗОР
КАНТИЛЕВЕР
ЛАЗЕРНАЯ КЕРАМИКА
НАНОЭЛЕКТРОНИКА
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКИЕ РЕАКТОРЫ
АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПЛЕНКИ
ПЕРСПЕКТИВНЫЕ НАНОМАТЕРИАЛЫ
МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ НАНОКОМПОЗИТЫ
РЕЗИСТИВНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
МИКРОПОЛОСКОВЫЕ АНТЕННЫ-ГЕНЕРАТОРЫ
СТОХАСТИЗАЦИЯ КОЛЕБАНИЙ
ПОЛУПРОВОДНИКИ
СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ
СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК
Детали

Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Фрязинский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук
Похожие документы
Создание и исследование новых перспективных материалов и структур для элементов функциональной электроники и оптических систем
0.959
ИКРБС
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.948
ИКРБС
Создание и исследование новых перспективных материалов и структур для функциональных элементов радиоэлектроники и оптических систем
0.944
ИКРБС
Создание и исследование новых перспективных материалов и структур для элементов функциональной электроники и оптических систем
0.943
ИКРБС
НАНОМАТЕРИАЛЫ И СТРУКТУРЫ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И РАДИОФОТОНИКИ: ПОЛУЧЕНИЕ, НАНОСТРУКТУРИРОВАНИЕ, РАЗРАБОТКА ПЕРСПЕКТИВНЫХ УСТРОЙСТВ
0.942
ИКРБС
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.941
ИКРБС
Создание и исследование новых перспективных материалов и структур для функциональных элементов радиоэлектроники и оптических систем
0.940
ИКРБС
40.4. Разработка новых лазерных и информационных технологий для решения фундаментальных и прикладных задач развития элементной базы высокоскоростных телекоммуникационных, вычислительных и сенсорных систем.
0.939
ИКРБС
ПОЛУЧЕНИЕ, ДИАГНОСТИКА И МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ НОВЫХ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ И СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
0.938
ИКРБС
ДИАГНОСТИКА И ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ, НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ ДЛЯ МИКРО-, НАНО-, АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ И РАДИОФОТОНИКИ
0.937
ИКРБС