Разработка технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si). Изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si). Проведение испытаний экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si)

Целью выполнения НИОКР является разработка базовой технологии формирования гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии диаметром 100 мм.В процессе реализации НИОКР выполнены следующие работы:- проведена разработка технологического процесса формирования зародышевого слоя AlN на подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si);- изготовлены экспериментальные образцы гетероэпитаксиальных структур AlN на подложках 3С-SiC/Si;- проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур AlN на подложках 3С-SiC/Si;- проведена разработка технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si;- изготовлены экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si;- проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si.Настоящий отчет содержит краткие результаты работ, выполненных на первом этапе проекта, и результаты второго (заключительного) этапа проекта по разработке технологического процесса роста GaN на подложках 3С-SiC/Si в основной части. На основании полученных результатов и ноу-хау был разработан РИД – заявка на способ, отправленная в ФИПС. В процессе выполнения работы была составлена технологическая документация на процесс роста GaN на подложках 3С-SiC/Si.К отчету приложены акты изготовления и испытаний, протоколы испытаний, программы и методики испытаний экспериментальных образцов гетероструктур GaN на подложках 3С-SiC/Si. Составлена и приложена к отчету технологическая инструкция на технологический процесс формирования гетероструктуры нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии.Работы по НИОКР настоящего проекта выполнены своевременно и в полном объеме. Результаты работ полностью отвечают требованиям Технического задания и Календарного плана.