Разработка технологии формирования гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии диаметром 100 мм, изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур, проведение испытаний образцов

Целью выполнения НИОКР является разработка базовой технологии формирования гетероэпитаксиальных структур нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии диаметром 100 мм.В процессе реализации НИОКР выполнены следующие работы:- проведена разработка технологического процесса формирования зародышевого слоя AlN на подложках кубического карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si);- изготовлены экспериментальные образцы гетероэпитаксиальных структур AlN на подложках 3С-SiC/Si;- проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур AlN на подложках 3С-SiC/Si;- проведена разработка технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si;- изготовлены экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si;- проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием буферных слоев Al(Ga)N на подложке 3С-SiC/Si.Настоящий отчет содержит краткие результаты работ, выполненных на первом этапе проекта, и результаты второго (заключительного) этапа проекта по разработке технологического процесса роста GaN на подложках 3С-SiC/Si в основной части. На основании полученных результатов и ноу-хау был разработан РИД – заявка на способ, отправленная в ФИПС. В процессе выполнения работы была составлена технологическая документация на процесс роста GaN на подложках 3С-SiC/Si.К отчету приложены акты изготовления и испытаний, протоколы испытаний, программы и методики испытаний экспериментальных образцов гетероструктур GaN на подложках 3С-SiC/Si. Составлена и приложена к отчету технологическая инструкция на технологический процесс формирования гетероструктуры нитрида галлия на основе подложки кубического карбида кремния на кремнии.Работы по НИОКР настоящего проекта выполнены своевременно и в полном объеме. Результаты работ полностью отвечают требованиям Технического задания и Календарного плана.