Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения по теме: Изготовление экспериментальных образцов, проведение исследовательских испытаний (заключительный)

Объектами исследования являются InAlN/GaN СВЧ транзистор, технология его изготовления и пассивных элементов СВЧ МИС. Целью работы на данном этапе проекта были корректировка технологии, изготовление экспериментальных образцов и проведение их исследовательских испытаний InAlN/GaN СВЧ транзисторов и пассивных элементов СВЧ МИС. В результате выполнения работ по ПНИЭР: – разработаны технология эпитаксиального выращивания гетероструктур, технология изготовления СВЧ InAlN/GaN транзисторов и пассивных элементов СВЧ МИС на гетероструктурах InAlN/GaN, технология изготовления топологических элементов с размером 0,1 и 0,15 мкм методом электронно-лучевой литографии, технология изготовления низкоомных омических контактов для СВЧ InAlN/GaN транзисторов, технология монтажа СВЧ GaN транзисторов на теплопроводящее основание; – изготовлены экспериментальные образцы эпитаксиальных гетероструктур для экспериментальных образцов СВЧ InAlN/GaN транзисторов и пассивных элементов СВЧ МИС, экспериментальные образцы СВЧ InAlN/GaN транзисторов и пассивных элементов СВЧ МИС; – проведены исследовательские испытания разработанных технологий; – разработана электрофизическая модель транзистора, полученная в результате расчетов (электрофизического моделирования) характеристик СВЧ InAlN/GaN и сформированы рекомендации по выбору основных параметров модели и конструкции транзистора, разработаны малосигнальная и большесигнальная модели СВЧ InAlN/GaN транзистора; – разработан проект ТЗ на ОКР; – обобщены результаты проекта и сделана оценка полноты решения задач ПНИЭР; – проведена сравнительная оценка полученных результатов ПНИЭР с достигнутым современным научно-техническим уровнем; – разработаны рекомендации и предложения индустриальному партнеру по использованию полученных результатов ПНИЭР в целях их дальнейшего внедрения (промышленного освоения).