ИКРБС
№ АААА-Б20-220091190005-7Разработка перспективных однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона на основе полупроводников типа A³B⁵ для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения (5G) по теме: экспериментальные исследования поставленных перед ПНИ задач. Обобщение и оценка результатов исследований
31.12.2019
Объектом исследования являются монолитные интегральные схемы однокристального передающего СВЧ электронного модуля (ЭМ)Цель работы –разработка комплекса новых схемотехнических, конструктивных и технологических решений создания современных СВЧ электронныхкомпонентов, включающих бескорпусные монолитные интегральные схемы для перспективных однокристальных передающих модулей, работающих в различных поддиапазонах миллиметрового диапазона длин волн для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения(5G).Достигнуты следующие основные результаты:Произведена разработка технологического маршрута изготовления передающего СВЧ ЭМна основе гетеростурктур GaAs.Разработан комплект эскизной технологической документации на технологический процесс изготовления передающего СВЧ ЭМ.Проведена разработка эпитаксиальных гетероструктур на основе полупроводников типа A3B5для создания передающего СВЧ ЭМ.Изготовлены макеты передающего СВЧ ЭМ.Проведен комплекс экспериментальных работ по исследованию воспроизводимости параметров однокристальных передающих СВЧ ЭМ, а также исследованию процента выхода годных кристаллов, изготовленных на полупроводниковых пластинах диаметром 100 мм.-Разработаны технические требований и предложений по разработке, производству и эксплуатации однокристальных передающих СВЧ ЭМ с учетом технологических возможностей и особенностей индустриального партнера.-Произведена разработка эскизной конструкторской документации на изготовление передающего СВЧ ЭМ.-Проведены дополнительныепатентныеисследованияпо ГОСТ 15.011 –96.-Произведена разработка проекта технического задания на проведение ОКР по теме: «Разработка перспективных однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона на основе полупроводников типа A3B5для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения (5G)».-Разработанапрограммаи методики лабораторных испытаний технических характеристик макетов передающих СВЧ ЭМ.-Проведены лабораторные испытания технических характеристик макетов передающих СВЧ ЭМ.-Проведены маркетинговые исследования рынка однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона.-Разработаны схемотехнические решенияи топологиив части создания передающего СВЧ ЭМ.-Проведено обобщение и сделаны выводы по результатам исследований.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.31 Интегральные микросхемы
47.13.10 Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
Ключевые слова
МИЛЛИМЕТРОВЫЙ ДИАПАЗОН
СВЧ МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА
ЭЛЕКТРОННЫЙ МОДУЛЬ
ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ
ГЕТЕРОСТРУКТУРА
ПОЛУПРОВОДНИК
GaAs
GaN
ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
Похожие документы
Разработка перспективных однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона на основе полупроводников типа A3B5 для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения (5G) по теме:теоретические и экспериментальные исследования поставленных перед пни задач
0.979
ИКРБС
Разработка перспективных однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона на основе полупроводников типа A3B5 для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения (5G)
0.962
ИКРБС
Разработка МИС однокристальных приемопередающих модулей для диапазона частот 23 - 25 ГГц на основе нитрида галлия. Выбор направления исследований
0.938
ИКРБС
Разработка перспективных однокристальных передающих СВЧ модулей миллиметрового диапазона на основе полупроводников типа A3B5 для применения в современных информационно-коммуникационных системах нового поколения (5G)
0.936
НИОКТР
Исследование и разработка приёмопередающих интегральных микросхем микроволнового диапазона частот для систем связи пятого поколения с учётом тенденций совершенствования технологий и конструкций электронной компонентной базы
0.935
НИОКТР
Отчет о прикладных научных исследованиях и экспериментальных разработках. Разработка импульсных твердотельных генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs по теме: «Экспериментальные исследования, обобщение и оценка результатов ПНИЭР» (заключительный), этап третий
0.931
ИКРБС
Отчет о прикладных научных исследованиях и экспериментальных разработках. Разработка импульсных твердотельных генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов волн на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs по теме: Теоретические исследования. II этап (промежуточный)
0.930
ИКРБС
Разработка интегральной схемы микроволнового диапазона частот для диаграммообразующих модулей АФАР на основе кремниевой технологии (итоговый)
0.929
ИКРБС
Разработка конструкторско-технологических решений создания МИС усилителей мощности на широкозонных полупроводниках для современной радиоаппаратуры в поддиапазоне частот 42-46 ГГц. Теоретические исследования поставленных перед ПНИ задач.
0.927
ИКРБС
Исследование конструктивно технологических принципов построения широкополосных усилительных и генераторных компонентов свч-диапазона на основе широкозонных полупроводников
0.925
ИКРБС