Локальное ионно-плазменное травление диэлектриков, инициируемое и контролируемое электронным пучком в форвакуумном диапазоне давлений (промежуточный)

результате проделанной работы по проекту разработаны системы фокусировки и перемещения электронного пучка, позволяющие осуществлять сжатие пучка и его сканирование по поверхности диэлектрического образца. Изготовлен вспомогательный источник плазмы, впоследствии замененный на кварцевую колбу. Показана принципиальная возможность травления диэлектрической мишени, инициированного электронным пучком в диэлектрическом сосуде. Отработана методика измерения концентрации плазмы и потенциала диэлектрической мишени на основе измерения величины ионного слоя и знания значения концентрации плазмы. Получены рабочие режимы в которых потенциал диэлектрической мишени составляет более 500 В, что достаточно для эффективного травления поверхности диэлектриков. При этом установлено, что тепловая нагрузка на данные облучаемые образцы не превышает 600 градусов Цельсия, что как показали дополнительные исследования, не приводит к сублимации поверхности образца, ее плавлению и испарению. Таким образом, полученные данные позволят в дальнейшем осуществлять процесс травления диэлектрических поверхностей. По результатам проекта опубликована работа, индексируемая в системе РИНЦ и подготовлен доклад на международной конференции в Минске. Задачи по проекту на 2019 год выполнены в полном объеме.