Рентгеноспектральное исследование атомного и электронного строения пористых органосиликатных стекол с использованием синхротронного излучения(итоговый)

Проведено исследование формирования, самоорганизации и свойств пористых low-k-органосиликатных стекол (ОСС) с целью выявления факторов, определяющих величину их диэлектрической проницаемости и проводимости. Для этого изучено электронное и атомное строение ОСС в широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости в зависимости от метода синтеза и способа создания пористости методом рентгеновской спектроскопии отражения с использованием синхротронного излучения. Впервые в одних экспериментальных условиях изучено перераспределение состояний валентной зоны и зоны проводимости ОСС, синтезированных как классическим методом синтеза с использованием жертвенного порообразователя, так и современными передовыми методами без использования порообразователя. Установлена взаимосвязь между образованием конкретных химических связей (Si-CH₃, C=O, OH-C=O) и изменением положения потолка валентной зоны. Разработанный подход впервые применен к изучению ОСС.