ИКРБС
№ АААА-Б20-220121790094-9ОТРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕЙСТВУЮЩИХ МАКЕТОВ МОЩНЫХ ЧИП-ТИРИСТОРОВ
15.10.2020
Объекты исследования – чип-тиристоры на основе GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии. Цель работы – проведение исследований по отработке технологии изготовления действующих макетов чип-тиристоров. Определение характеристик и параметров изготовленных макетов. В ходе работы исследовано влияние конструкции чипов, а также различных видов обработки поверхности чипов на напряжение пробоя.
ГРНТИ
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
полупроводники а3в5
мос-гидридная эпитаксия
чип-тиристоры
Детали
Заказчик
Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики"
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
Похожие документы
Отработка технологии изготовления действующих макетов мощных чип-тиристоров
0.952
НИОКТР
ОТРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАКЕТОВ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ КОММУТАТОРОВ
0.935
ИКРБС
Отработка технологии изготовления макетов быстродействующих коммутаторов
0.920
НИОКТР
Разработка действующих макетов мощных чип-тиристоров
0.912
НИОКТР
Разработка технологии изготовления тестовых кристаллов на основе гибридных гетероструктур типа FET/HBT
0.907
ИКРБС
Разработка технологии изготовления и проведение исследований экспериментальных образцов транзистора на основе органических полупроводников
0.898
ИКРБС
Этап №2 «Этап 2. Технический проект.
Проведение моделирования процесса электронного облучения полупроводниковых элементов тиристоров. Обоснование выбора конструктивного исполнения тиристоров и технологического процесса их производства. Разработка и утверждение КД технического проекта с присвоением документации литеры «Т».
Корректировка технологической документации предназначенной для изготовления и испытания макетов тиристоров с присвоением литеры «П».
Разработка программы и методик исследовательских испытаний макетов тиристоров. Изготовление макетов тиристоров на основе КД с литерой "Т" и технологической документации с литерой "П".
Испытания макетов тиристоров, изготовленных на основе КД с литерой "Т" и технологической документации с литерой "П".»
0.891
ИКРБС
Обеспечение проведения научных исследований. Отработка и исследование технологических операций изготовления HEMT транзистора на основе широкозонных полупроводников на плазмо-химическом и напылительном оборудовании.
0.890
НИОКТР
Выбор направления исследований
0.888
ИКРБС
Разработка и проведение технологических операций изготовления СВЧ- транзисторов на гетероструктурах с двойным электронным ограничением на основе нитрида галлия
0.887
НИОКТР