Разработка и создание новых СВЧ транзисторов с высокой удельной мощностью на основе нитрида галлия на подложках из поликристаллического алмаза для телекоммуникационных систем, систем связи и радиолокацииТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ (заключительный, 2 этап)

Объектом разработки являются транзисторы с высокой подвижностью электронов на основе нитрид-галлиевых гетероструктур на подложках поликристаллического алмаза. Целью проекта является разработка технологии создания объекта разработки. Методология заключается в экспериментальной реализации цели проекта. В ходе выполнения ПНИ были успешно проведены все запланированные работы. Создан новый класс подложек на основе подложек кремний на изоляторе с последующим ростом поликристаллического алмаза методом химического осаждения из газовой фазы. На созданных подложках выращены нитридные гетероструктуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на их основе сформированы транзисторы с высокой подвижностью электронов в удельной мощностью более 7 Вт/мм и общей выходной мощностью более 10 Вт. Использование подложек нового класса для создания СВЧ устройств позволит увеличить выходную мощность до 2 раз при сохранении площади кристалла транзистора. Достигнутые результаты могут быть применены при создании устройств для телекоммуникационных систем, систем связи и радиолокации для улучшения их эксплуатационных и технических характеристик.