Создание и характеризация новых функциональных наноструктур и систем на их основе (промежуточный).

Проведены экспериментальные исследования по синтезу полупроводниковых наноструктур разветвлённой морфологии группы А3В5 на поверхностях подложек, подготовленных для эпитаксии. Физические свойства изготовленных наноструктур исследовались различными оптическими методами. Структурные свойства исследовались методами СЭМ и ПЭМ. Элементный состав наноструктур определялся с помощью энергодисперсионного анализатора рентгеновского излучения в СЭМ. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на Si подложке при пониженной температуре были синтезированы InGaAs наноструктуры с содержанием InAs ~50%. Элементный состав наноструктур был подтвержден спектроскопическими измерениями и данными рентгеновского микроанализа. Разработана экспериментальная установка и методика, позволившие связать прямые оптические измерения эмиссии фотонов из наноконтакта между иглой СТМ и поверхностью образца с туннельными электронными спектрами данного контакта в условиях сверхвысокого вакуума. Экспериментально продемонстрировано, что эмиссия фотонов обусловлена неупругим каналом туннелирования электронов с возбуждением плазмон-поляритонных колебаний. Предложен неразрушающий способ определения содержания легких элементов и интегральных характеристик пластмасс на основе рассеяния рентгеновского излучения и и многомерного регрессионного моделирования. Способ основан на хемометрической обработки спектров рассеяния монохроматического рентгеновского излучения, измеренных при различных углах падения излучения на образец. Показано что предлагаемый способ позволяет определять содержание углерода и водорода с относительной погрешностью около 10%. Реализовано высокочувствительное лазерное зондирование и развиты алгоритмы обработки слабых поляризационных откликов магнитных наножидкостей и плотных атомных ансамблей, дополненное сравнительными исследованием ЯМР-откликов. Показано, что при резонансном возбуждении плотных атомных ансамблей динамика флуоресценции обусловлена разными механизмами. Полученные результаты могут быть использованы при анализе резонансных, а в ряде случаев и нерезонансных ансамблей точечных рассеивателей в оптоэлектронике, магнитооптике, квантовой оптике, биомедицине.