Исследование оптических и электронных свойств гибридных наноструктур на основе полупроводников и диэлектриков

Объектом исследования являются объемные монокристаллы и пленки гибридных перовскитов CH3NH3PbI3 и CH3NH3PbBr3. Цель работы – получение стабильных монокристаллов, изучение их оптоэлектронных свойств. Результаты исследований ФЛ и колебательных мод CH3NH3PbI3 методом ИК-спектроскопии в температурном интервале 10-340°К свидетельствуют о наличии структурного фазового перехода вблизи 160К, связанного с уменьшения степени свободы вращения органического катиона (CH3NH3)+. Установлены значения энергий связи экситонов в этих перовскитах, близкие к опубликованным. Объектом исследования являются монослои и коллоидные полупроводниковые НК на основе халькогенидов металлов (CdS, PbS, CuS, CdSe, MoS2) сформированных на плазмонных структурах. Цель работы - разработка методик синтеза наноструктур и исследование эффектов усиления комбинационного рассеяния света (КРС) и ИК поглощения оптическими фононами нанокристаллов. Изучены спектры оптического отражения плазмонных структур, установлена взаимосвязь между структурными и плазмонными свойствами металлических наноструктур. Продемонстрированы возможности метода для нано- КРС для идентификации компонентов системы монослой MoS2 - НК CdSe с пространственным разрешением около 2 нм, что значительно ниже дифракционного предела. Объектом исследования являлись плёнки нестехиометрических оксидов ZrOx, HfOx (x<2) и TaOy (y<2.5). Цель работы - разработка технологии синтеза нестехиометрических слоёв ZrOx, HfOx (x<2) и ТаOy (y<2.5), исследование их структурных и оптических свойств, разработка новых энергонезависимых резистивных элементов памяти (мемристоров) для вычислительных машин. Разработана технология синтеза нестехиометрических слоёв ZrOx , HfOx (x<2) и ТаOy (y<2.5) на основе метода ионно-лучевого распыления-осаждения. Создан макет мемристора на основе структуры TaN/HfOx/Ni. Исследован механизм переноса заряда в мемристоре. Объектом исследований являются структуры с квантовыми точками (КТ) (In, Al)As/AlAs первого рода, содержащие как прямозонные, так и непрямозонные точки и квантовые ямы (КЯ) (Ga,Al)(Sb,As)/AlAs. Цель работы - исследование спиновой структуры и спиновой динамики экситонов в КЯ и ансамбле квантовых точек.