«Проведение моделирования работы малошумящего СВЧ-усилителя с защитой входных каскадов от высокоимпульсных помех. Расчёт и частотный анализ параметров малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех. Разработка конструкторской документации на опытный образец малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех. Разработка технологической инструкции для изготовления опытного образца малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех».

Цель работ на 3 этапе проекта – разработка конструкции малошумящего СВЧ усилителя с защитой входных каскадов от высокоимпульсных помех. Для выполнения цели данного этапа необходимо было провести моделирование работы малошумящего СВЧ-усилителя с защитой входных каскадов, провести расчёт и частотный анализ параметров малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех, разработать конструкторскую документацию на опытный образец малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех, разработать технологическую инструкцию для изготовления опытного образца малошумящего СВЧ-усилителя с защитой от высокоимпульсных помех. Функция СВЧ МШУ заключается в усилении поступающих сигналов высокой мощности и/или длительного временного интервала через защитное устройство. Габаритные размеры кристалла должны составлять 1.6 × 1.4 мм при толщине в 100 мкм. Разрабатываемое СВЧ МШУ должно функционировать в диапазоне частот от 8 до 12 ГГц, с коэффициентом шума не более 1.5 дБ, коэффициентом усиления не менее 23 дБ, КСВН входа не более 1.75, КСВН выхода не более 1.5. Выходная мощность при компрессии усиления 1 дБ должна составлять не менее 17 дБм. Допустимая входная импульсная мощность должна составлять не менее 37 дБм. Работа усилителя осуществляется при напряжении питания 5 ±0.5 В и токе потребления: 65 ±7 мА. Для достижения вышеперечисленных технико-эксплуатационные характеристик необходимо будет изготовить соединительный элемент (интерпозер) в виде кремниевой пластины со сквозными канавками, заполненные металлом. Для осуществления микросборки будет использоваться технология временного бондинга. B процессе выполнения проекта были защищены технические решения: устройство для соединения полупроводниковых пластин (патент на полезную модель № 198545, приоритет 26.02.2020. опубликовано 15.07.2020), полевой транзистор с вертикальным каналом для СВЧ техники (патент на полезную модель № 204091, приоритет 25.12.2020, публиковано 06.05.2021) Исполнитель считает, что все запланированные работы на 3 этапе успешно выполнены в полном объёме.