ИКРБС
№ 221101900073-8Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Разработка программы и методики лабораторных испытаний. Разработка тестовой оснастки: разработка электрической схемы и топологии печатной платы для проведения лабораторных испытаний.
05.04.2021
Целью работы, выполненной в рамках 2 этапа НИОКР по теме «Разработка специализированной интегральной микросхемы типа «система на кристалле» в составе взаимосвязанных сложно - функциональных блоков обработки сигналов пьезоэлектрических датчиков вибраций» является изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС и разработка программ и методик лабораторных измерений.
В процессе работы, проведенной в рамках 2-го этапа выполнения НИОКР, была проведена верификация топологии полупроводникового кристалла с использованием технологических библиотек фабрики изготовителя и успешно осуществлен запуск в производство и изготовление полупроводниковых кристаллов по 180 нм КМОП технологии.
В процессе работы, выполненной в рамках 2-го этапа выполнения НИОКР, была успешно разработана программа и методики лабораторных измерений специализированной интегральной микросхемы типа «система на кристалле» с целью контроля статических и динамических параметров в диапазоне температур и питающих напряжений.
В процессе работы, выполненной в рамках 2-го этапа выполнения НИОКР, была успешно разработаны схемы электрические и топология два двух типов печатных плат, предназначенных для проведения лабораторных измерений специализированной интегральной микросхемы типа «система на кристалле» с целью контроля статических и динамических параметров в диапазоне температур и питающих напряжений.
ГРНТИ
47.33.31 Интегральные микросхемы
Ключевые слова
КМОП – комплементарная структура металл-оксид-полупроводник
СФ- блок – сложно – функциональный блок
VBG - термостабильное опорное напряжение
VREF - опорное напряжение АЦП
ТК - температурный коэффициент
Детали
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 7 500 000 ₽
Похожие документы
Разработка специализированной интегральной микросхемы типа «система на кристалле» в составе взаимосвязанных сложно - функциональных блоков обработки сигналов пьезоэлектрических датчиков вибраций
0.943
ИКРБС
Разработка и верификация топологии макетного образца ИМС.
Разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС.
Изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС. Технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца. Разработка технологического маршрута сборки. Сборка макетного образца ИМС.
Разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС.
Изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС.
Проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС.
(промежуточный)
0.933
ИКРБС
Этап №2 «Разработка сборочного чертежа полупроводникового кристалла в корпус. Разработка программы и методик лабораторных измерений.
Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Технологическая сборка полупроводниковых кристаллов в корпус согласно сборочному чертежу. Изготовление опытных образцов заказной ИМС.» (промежуточный)
0.929
ИКРБС
Изготовление макетных образцов микросхем. Исследование параметров макетных образцов микросхем. Разработка принципиальных схем микросхем. Моделирование работы микросхем. Разработка топологий кристаллов микросхем.
0.925
ИКРБС
Разработка структурных схем микросхем. Определение необходимого набора элементов "правил проектирования" производителя кристаллов и требований к ним, выбор технологий изготовления кристаллов микросхем. Разработка принципиальных схем макетных образцов микросхем. Моделирование работы макетных образцов микросхем. Разработка топологии кристаллов макетных образцов микросхем.
0.925
ИКРБС
Разработка методов построения оборудования, реализующего flip-chip технологию изготовления интегральных микросхем и многокристальных модулей (заключительный, этап 1 )
0.921
ИКРБС
Разработка методик измерений микросхем. Разработка программ и методик предварительных испытаний опытных образцов микросхем. Разработка ЭКД на измерительные средства и оснастку для проведения измерений и испытаний микросхем. Изготовление измерительных средств и оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочего места для измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочей КД и ТД на микросхемы. Изготовление опытных образцов микросхем. (промежуточный)
0.918
ИКРБС
Этап №2" Разработка технологического маршрута изготовления СВЧ фотодиодов на основе материала InP с гетеропереходом с квантовыми ямами. Разработка технологии корпусирования и монтажа фотонных интегральных схем. Разработка методики измерения электрических параметров широкополосного трансимпедансного усилителя (ТИУ). Разработка технологического маршрута изготовления и конструкций интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках. Определение состава, выбор и обоснование полупроводниковых подложек, материалов и
комплектующих для изготовления трансимпедансных усилителей."(промежуточный)
0.915
ИКРБС
Разработка методов проектирования прецизионного оборудования для производства электронной компонентной базы (промежуточный, этап № 1)
0.915
ИКРБС
ОТЧЕТ
о выполнении НИОКР по теме: "Разработка и изготовление аналого-цифрового электронного модуля обработки сенсорных сигналов на основе интегральной микросхемы типа системам на кристалле с использованием аналого-цифровых сложно-функциональных блоков и конфигурацией
функций посредствам цифровых интерфейсов." (договор №41ГТС1РЭС14/72874 от 28.12.2021)
Этап №1"Разработка принципиальных электрических схем аналоговых и аналого - цифровых СФ-блоков.Проведение схемотехнического моделирования принципиальных схем. Разработка краткой спецификации заказной интегральной микросхемы (ИМС). Разработка технологического маршрута изготовления опытных образцов заказной ИМС. Верификация итоговой топологии заказной ИМС в технологическом формате." (промежуточный)
0.912
ИКРБС