Физика низкоразмерных электронных систем на основе полупроводниковых и топологических материалов, перспективных для применений в электронике

Настоящая НИР посвящена актуальным проблемам физики низкоразмерных электронных систем на основе полупроводников и топологических изоляторов, имеющих высокие перспективы применений в нано- и микроэлектронике, спинтронике и квантовых вычислительных системах. В рамках этого общего направления в 2020 г. проводились следующие исследования, направленные на: - разработку теории связанных электронных пар в материалах с сильным спин-орбитальным взаимодействием и топологических изоляторах, образующихся благодаря отрицательной приведенной массе двух электронов и притягивающего парного спин-орбитального взаимодействия; - исследование электронного транспорта в двумерных электронных системах; - исследование магнитных состояний в пленочных наноструктурах на основе слоев Co/Pt, и в двухслойных структурах на основе магнетика, металла и углеродных слоев; - исследование энергетического спектра электронов, магнитного и фазового состава слоёв разбавленных ферромагнитных полупроводников на основе соединений A3B5; - исследование особенностей плазменных колебаний в низкоразмерных системах; - изучение влияния нанометровых покрытий сердцевины на параметры оптоволокна; - изучение особенности пиннинга ВЗП в низкоразмерных системах; - разработку методов создания тонкопленочных структур на основе топологических материалов; - получение самосогласованного итеративного решения системы уравнений Кона-Шэма и Пуассона для квазидвумерного электронного газа в обогащенном слое на поверхности прямозонного полупроводника с вырожденным электронным газом в объеме. Полученные в рамках НИР результаты доложены на российских и международных конференциях, опубликованы в журналах, индексируемых WoS и/или Scopus, и соответствуют современному мировому уровню исследований.