Экспериментальная апробация методик измерения базовых характеристик MESFET транзисторов для силовой электроники, выполненных на основе широкозонных полупроводниковых структур

В работе были проведена экспериментальная апробация методик измерения базовых характеристик MESFET транзисторов для силовой электроники, выполненных на основе широкозонных полупроводниковых структур. Вначале проведен анализ базовых методов диагностики MESFET на SI и SIC. В котором изложен анализ проблем, ожидаемых при изготовлении структур и базовых конструкций транзисторов, доминирующие механизмы утечек по затвору ПТMESFET на Si и SiC и описание модели, функциональные зависимости и оценки токов утечки. Изложена экспериментальная апробация предлагаемых методов и методик измерений базовых характеристик тестовых структур MESFET Приведены протоколы экспериментальных исследований входных и выходных характеристик тестовых структур MESFET и экспериментальных исследования температурных зависимостей тока в тестовых структурах GaN-AlNMESFET на подложках Si и SiC