ВЫРАЩИВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ЛАЗЕРНЫХ СТРУКТУР С МНОГОСЛОЙНЫМИ КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ In(Ga)As/GaAsНА ПОДЛОЖКАХ Ge/Si

Объекты исследования – гетероструктуры GaAs/AlGaAs с многослойными квантовыми точками In(Ga)As/GaAs, выращенные на подложках Ge/Si. Цель работы – разработка технологии выращивания на подложках кремния лазерных гетероструктур, излучающих в диапазоне длин волн (1100 ÷ 1300) нм. Работа выполнена в рамках проекта РФФИ № 18-29-20016 «Разработка фундаментальных основ технологии роста лазерных и светодиодных структур с квантовыми точками на основе соединений А3В5 и Ge на кремниевой подложке» (руководитель Алешкин В.Я.). В ходе выполнения НИР были проведены следующие исследования и работы: 1) Был модифицирован режим выращивания GaAs на Ge/Si и исследовано влияние кристаллографической ориентации подложек. Выращены гетероструктуры с сильнолегированными буферными слоями GaAs/AlGaAs на Ge/Si подложках для последующего роста лазерных структур с квантовыми точками. 2) Выращены cветоизлучающие гетероструктуры с КТ InGaAs/GaAs/AlGaAs на GaAs/Ge/Si, подложках, излучающих в диапазоне длин волн (1,2 ÷ 1,3) мкм при оптической накачке. 3) Были выращены светоизлучающие GaAs/AlGaAs гетероструктуры с p-n переходами на GaAs/Ge/Si подложках. Из этих гетероструктур изготовлены светоизлучающие диоды с кольцевой геометрией, измерены их вольтамперные характеристики и спектральные зависимости электролюминесценции. Диоды переданы в ИФМ РАН для дополнительных исследований.