Разработка и исследования новых сверхпроводниковых, магнитных, полупроводниковых материалов и структур для микро- и наноэлектроники

Объектами исследования на текущем этапе работ являются: – антенные системы миллиметровых волн, сверхпроводниковые болометры; – мартенситный структурный переход в сплаве гейслера Ni-Mn-Ga-Cu; – магнитные гетероструктуры и спинтронные осцилляторы на их основе; – сверхрешетки InAs/AlSb, GaAs/AlAs; мультибарьерные структуры GaAs/AlGaAs; – фотоэлектрические сенсоры, квантовые точки CdSe/CdS/ZnS; – механизмы световосприятия зрительной системы и кодирование изображений; – усиление и генерация ТГц излучения на слабых плазмонных модах в периодических структурах на основе графена; распространение спиновых волн в микроструктурах с неоднородным распределением параметров; – магниторезиствные свойства микроструктур ЖИГ-InSb; – магниточувствительные многостенные углеродные нанотрубки. Цель работы – исследование новых сверхпроводниковых, магнитных и полупроводниковых материалов и структур, а также на разработку элементов на их основе для применения в современной микроэлектронике. Работа проводилась методами теоретических оценок параметров, численного моделирования, разработки технологий и изготовления экспериментальных образцов, и их комплексного экспериментального исследования. В результате исследований были получены характеристики новых сверхпроводниковых, полупроводниковых и магнитных структур, а также устройств на их основе. Областями применения результатов являются микро- и наноэлектроника, терагерцовые технологии, медицинские системы, информационно-телекоммуникационных системы.