Физические основы синтеза напряженных гетероструктур А3В5 и светоизлучающие приборы с предельными параметрами

Целью исследований по теме в 2021 г. являлось развитие физических основ синтеза напряженных гетероструктур А3В5 и создание на их основе светоизлучающих приборов с предельными параметрами. Основные направления работ включали следующие направления исследований: Экспериментальное и теоретическое исследование транспорта и рекомбинации носителей в (In,Ga)N/(Al,Ga)N гетероструктурах, эпитаксиальный рост методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений и последующее исследование структур для приборных применений, включая светодиоды на новых типах подложек, транзисторы с высокой плотностью насыщенного тока и микроструктуры для фотонных применений. Исследования вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектральных диапазонов 1300 / 1550 нм, реализованных на базе технологии молекулярно-пучковой эпитаксии и технологии спекания пластин. Исследования ВИЛ спектрального диапазона 895nm для компактных атомных сенсоров. Экспериментальные и теоретические исследования особенностей картины интенсивности конической рефракции для различных форм входных обобщенных пучков Бесселя-Гаусса (БГ). Демонстрация непрерывной работы двухчастотного Nd: CALGO-лазера с внутрирезонаторным конически рефрагирующим элементом на длинах волн 1078,6 нм и 1080,8 нм. Исследования квантовых гетероструктур InGaAs/GaAs промежуточной (переходной) размерности, имеющих свойства ям и точек, - квантовые ямо-точки. Такие структуры используются в качестве активной области диодных лазеров и фотоприёмников. Целью работы было исследование поляризационных свойства оптического усиления, зависимости усиления от количества активных слоёв квантовых ямо-точек, от конструкции волновода, а также максимально-достижимое материальное усиление в таких структурах.