ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПРИКЛАДНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ СОЗДАНИЯ ПЕРСПЕКТИВНЫХ ПРИБОРНЫХ НАНОСТРУКТУР ДЛЯ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ НА НОВЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРИНЦИПАХ 2019

В основе современных ячеек памяти и многих устройств оптоэлектроники лежат многослойные пленочные структуры высокого кристаллического совершенства. Поэтому актуальными являются исследования механизмов зарождения дефектов в таких структурах. С использованием трех-частичных потенциалов Стиллинджера-Вебера, рассчитаны пути минимальной энергии для процессов зарождения различных форм дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах Ge/Si(001). Рассмотрены альтернативные технологии формирования наноструктурированных пленок с перпендикулярной магнитной анизотропией. Экспериментально обнаружено формирование регулярных массивов нанопроволок с высоким аспектным отношением в процессе роста тонких пленок Co при наклонном напылении при электронно-лучевом испарении. В рамках исследования концепции трековой памяти установлено, что при ширине магнитного нанопровода менее 40 нм наблюдается прецессия доменной стенки, сопровождаемая изменением ее киральности. Проведены поисковые исследования по формированию магнитных нанопроволок в матрице пористого алюминия методом электрохимического осаждения. Для отработки технологий формирования структур с мемристорным эффектом исследованы процессы фемто- и пикосекундного лазерного отжига тонкопленочных многослойных структур на основе аморфных Si и Ge, изготовленных методом плазмохимического осаждения на стеклянную подложку. Исследованы закономерности магнитооптического отклика металлизированной поверхности наноструктурированного селенида свинца. Исследовано влияние состава и давления газовой среды на процессы переключения элементов памяти на основе электроформованных МОМ структур. Исследованы возможности использования распыляющего пучка ионов Ga для количественной диагностики состава приповерхностных областей полупроводниковых материалов. Методами численного моделирования исследовано влияние оптических свойств и температуры элементов термического реактора на бистабильное поведение кремниевой пластины в процессе её термообработки мощным потоком теплового излучения. Исследована технология создания наноструктурированных материалов в кремнии с использованием ионного синтеза силикатных слоев.