ИКРБС
№ 223020800522-4Электронно-лучевая и ионно-плазменная модификация электроизоляционных и диэлектрических конструкционных материалов импульсным форвакуумным плазменным источником электронов на основе дугового разряда (Промежуточный, 1 этап).
10.03.2022
В ходе реализации проекта в течение первого года были выполнены следующие работы и исследования. Осуществлена модернизация экспериментальной установки для исследования генерации и формирования импульсного электронного пучка большого радиуса и пучковой плазмы в форвакуумном диапазоне давлений 3 – 20 Па. Исследованы особенности генерации импульсного электронного пучка с помощью форвакуумного плазменного источника электронов на основе дугового разряда с катодными пятнами и форвакуумного источника электронов на основе контрагированного дугового разряда. Показано, что обратный ионный поток из пучковой плазмы оказывает существенное влияние на генерацию электронного пучка с помощью источника на основе контрагированного дугового разряда. В форвакуумных источниках на основе дугового разряда с катодными пятнами и на основе контрагированного дугового разряда протяженность ускоряющего промежутка, которая определяет величину обратного потока ионов, оказывает влияние на эффективность извлечения электронов из эмиссионной плазмы. При этом влиянии протяженности ускоряющего промежутка гораздо сильнее для форвакуумного источника на основе контрагированного дугового разряда. Проведены исследования формирования импульсного электронного пучка большого радиуса в форвакуумном диапазоне давлений. Исследовано формирование пучковой плазмы с помощью импульсного электронного пучка большого радиуса. Плотность пучковой плазмы возрастает при увеличении тока электронного пучка (тока эмиссии) и давления рабочего газа, при этом в зависимости от расстояния от экстрактора источника плотность пучковой плазмы может немонотонно зависеть от ускоряющего напряжения, определяющего энергию электронов пучка. Показано, что при наличии диэлектрической мишени в области транспортировки электронного пучка плотность пучковой плазмы выше, чем в случае генерации пучковой плазмы без мишени. Кроме того при достижении некоторого порогового ускоряющего напряжения плотность пучковой плазмы вблизи диэлектрической мишени может существенно превышать плотность плазмы в случае ее генерации без мишени.
Все запланированные на 1 этап проекта работы выполнены.
ГРНТИ
29.27.23 Пучки в плазме
29.19.21 Влияние облучения на свойства твердых тел
29.27.51 Применение плазмы
Ключевые слова
Плазменный источник электронов
Импульсный электронный пучок
Пучковая плазма
Электроизоляционные материалы
Диэлектрические конструкционные материалы
Модификация поверхности
Детали
НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ТОМСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ"
Бюджет
Средства федерального бюджета: 600 000 ₽
Похожие документы
Генерация низкоэнергетичного импульсного электронного пучка форвакуумным плазменным источником электронов на основе дугового контрагированного разряда (Промежуточный – 1 этап)
0.953
ИКРБС
Генерация низкоэнергетичного импульсного электронного пучка форвакуумным плазменным источником электронов на основе дугового контрагированного разряда (Промежуточный – 2 этап)
0.951
ИКРБС
Электронно-лучевая и ионно-плазменная модификация электроизоляционных и диэлектрических конструкционных материалов импульсным форвакуумным плазменным источником электронов на основе дугового разряда (Итоговый, 2 этап)
0.937
ИКРБС
Генерация стационарных мощных низкоэнергетичных электронных пучков форвакуумными плазменными источниками для высокотемпературной электронно-лучевой обработки диэлектриков и других материалов (Промежуточный 1)
0.937
ИКРБС
Особенности эмиссии электронов из плазмы и формирования электронных пучков в области повышенных давлений форвакуумного диапазона для пучково-плазменной модификации материалов
0.929
ИКРБС
ОСОБЕННОСТИ ЭМИССИИ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ ПЛАЗМЫ И ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОННЫХ ПУЧКОВ В ОБЛАСТИ ПОВЫШЕННЫХ ДАВЛЕНИЙ ФОРВАКУУМНОГО ДИАПАЗОНА ДЛЯ ПУЧКОВО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ МАТЕРИАЛОВ
0.920
ИКРБС
Генерация стационарных мощных низкоэнергетичных электронных пучков форвакуумными плазменными источниками для высокотемпературной электронно-лучевой обработки диэлектриков и других материалов.
(2 год)
0.917
ИКРБС
Электрофизические аспекты электронно-лучевых технологий обработки стекла на основе форвакуумных плазменных источников электронов (промежуточный отчет за 1 год)
0.912
ИКРБС
Электрофизические аспекты электронно-лучевых технологий обработки стекла на основе форвакуумных плазменных источников электронов (промежуточный отчет за 2 год)
0.912
ИКРБС
Генерация стационарных мощных низкоэнергетичных электронных пучков форвакуумными плазменными источниками для высокотемпературной электронно-лучевой обработки диэлектриков и других материалов
0.911
ИКРБС