ИКРБС
№ 222022100053-5Новые материалы и новые физические эффекты для создания перспективных устройств электронной компонентной базы
10.01.2022
Цель проекта – поиск и разработка новых функциональных (нано)материалов, отвечающих росту требований к эффективности элементов и устройств, и способных обеспечить развитие электроники в ближайшей и долгосрочной перспективе, а также исследования физических процессов, возникающих в этих материалах, и их динамики.
Объектами исследований на данном этапе являлись гибридные материалы нового поколения и фундаментальные принципы функционирования, контроля и проектирования элементов и устройств (в том числе СБИС) на их основе.
В соответствии с планом реализации проекта на отчетном этапе разработаны и апробированы оригинальные методики формирования диэлектрических нанопористых пленок методами молекулярной самосборки; получена генерация ТГц излучения в объемном слоистом кристалле черного фосфора; исследованы параметры ТГц излучения, генерируемого в спинтронной гетероструктуре TbCo2/FeCo фемтосекундными лазерными импульсами; исследовано магнитоэлектрическое взаимодействие в органических магнитоэлектриках; проведены исследования динамики решетки двумерных дихалькогенирдова переходных металлов и сегнетоэлектрических функциональных пленок; разработаны методики роста монокристаллов Pb3Mn7O15, LiCu3O3, PbFe2/3W1/3O3, Pb5Ge3O11, CuO; Разработаны поведенческие описания и топология прототипов аппаратных блоков контроля целостности топологии цифровых СФ-блоков и цифровых частей ИС и СНК. Определены методы и предложены конструктивно-топологические решения создания аппаратных встраиваемых модулей, тестирование которых повышает вероятность обнаружения искажений исходной электрической схемы в ИС, полученной от фабрики. Показано на конкретном примере модуля RISC-процессора, что для контроля возможных внесенных изменений эффективно размещать на свободных участках топологии ячейки стандартных логических элементов, объединенных в цепи самотестирования.
Все полученные результаты являются оригинальными.
Результаты НИР представляют практический интерес как для фундаментальных исследований в области физики новых функциональных (нано)материалов, так и для практического применения в области разработки и совершенствования технологий микро- и наноэлектроники с целью повышения производительности и надежности конечных систем.
Полученные в ходе выполнения данного этапа работы результаты ориентированы на тематику и технологические возможности предприятий радиоэлектронного комплекса, соответствуют программе развития отечественных дизайн-центров проектирования и использовались при выполнении договорных и поисковых работ и при обучении студентов по специальностям РТУ МИРЭА.
По результатам работ за отчетный период (2021 год) опубликовано 25 научных публикации, из них 15 статей, индексированных Web of Science и Scopus (7 статей в журналах Q1 или Q2 квартилей), 10 статей в реферируемых изданиях РИНЦ, 26 тезисов докладов на Всероссийских и Международных конференциях, оформлены 9 заявок на регистрацию результата интеллектуальной деятельности, защищено 4 диссертации.
Программа исследований на отчетном этапе, установленная планом реализации проекта, выполнена в полном объеме.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.39 Ферромагнетики
29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
Ключевые слова
ТОПОЛОГИЯ ИС
АППАРАТНЫЕ ТРОЯНЫ
ВЕРИФИКАЦИЯ ИС
ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ВЕЩЕСТВОМ
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
МОНОКРИСТАЛЛЫ
НАНОМАТЕРИАЛЫ
ДВУМЕРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
АКТИВНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
Бюджет
Средства федерального бюджета: 32 181 900 ₽
Похожие документы
Новые материалы и новые физические эффекты для создания перспективных устройств электронной компонентной базы
0.973
ИКРБС
Новые материалы и новые физические эффекты для создания перспективных устройств электронной компонентной базы
0.969
ИКРБС
Функциональные материалы для приборостроения
0.967
ИКРБС
Функциональные материалы для приборостроения
0.964
ИКРБС
РАЗРАБОТКА ПОЛИФУНКЦИОНАЛЬНЫХ ПЬЕЗО-, ПИРО-, СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ НОВЫХ ПЕРСПЕКТИВ-НЫХ УСТРОЙСТВ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ
0.933
ИКРБС
Физика конденсированного состояния: новых материалов, молекулярных и твердотельных структур нанофотоники, наноэлектроники и спинтроники
0.929
ИКРБС
Функциональные двумерные гетероструктуры
0.926
ИКРБС
Моделирование процессов переноса в наноустройствах на основе ван-дер-ваальсовых гетероструктур и органических композитов с углеродными наноматериалами
0.925
ИКРБС
Разработка физико-технологических основ создания встраиваемой сегнетоэлектрической и резистивной памяти
0.924
ИКРБС
НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И ПОКРЫТИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОРВАКУУМНЫХ ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭЛЕКТРОНОВ
0.924
ИКРБС