ИКРБС
№ 222051800032-3

Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.

22.04.2022

Объект исследования в рамках проекта – взаимодействие электронного пучка с изолированной металлической, а также диэлектрической мишенями. Основные направления исследований отчетного этапа 2021 года: - Уточнение методики определения и управления потенциалом поверхности диэлектрической мишени при электронном облучении в среднем вакууме. - Определение вклада ионной бомбардировки в модификацию поверхности диэлектрика при электронном облучении. - Подготовка публикаций. Составление годового отчета. Запланированные в проекте работы по этапу 2021 года выполнены в полном объеме, установленные на 2021год контрольные показатели достигнуты. По каждому из перечисленных направлений получены новые научные результаты. За отчетный период по проекту (2021 год) опубликовано 2 журнальных статьи (WOS). Результаты работы представлены на двух международных конференциях: 18th International Conference "PROSPECTS OF FUNDAMENTAL SCIENCES DEVELOPMENT" April 27-30, 2021 Tomsk, Russia 17-я международная научно-практическая конференция «Электронные средства и системы управления». Томск. 17-19 ноября 2021 г.
ГРНТИ
29.27.23 Пучки в плазме
29.27.07 Элементарные процессы в плазме
29.27.51 Применение плазмы
Ключевые слова
Форвакуум
Облучение диэлектриков
Вторичная электронная эмиссия
Электронный пучок
Детали

Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 1 000 000 ₽
Похожие документы
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов
0.979
ИКРБС
Научные основы электронно-лучевой технологии создания многокомпонентных диэлектрических материалов и покрытий с использованием форвакуумных плазменных источников электронов
0.931
ИКРБС
Научные основы электронно-лучевой технологии создания многокомпонентных диэлектрических материалов и покрытий с использованием форвакуумных плазменных источников электронов
0.924
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО СИНТЕЗА И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ И МАТЕРИАЛОВ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.921
ИКРБС
НАУЧНЫЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ ТЕХНОЛОГИИ СОЗДАНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ И ПОКРЫТИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ФОРВАКУУМНЫХ ПЛАЗМЕННЫХ ИСТОЧНИКОВ ЭЛЕКТРОНОВ
0.918
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ, А ТАКЖЕ СИНТЕЗА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.917
ИКРБС
ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОЙ И ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ МОДИФИКАЦИИ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ, А ТАКЖЕ СИНТЕЗА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОКРЫТИЙ В ФОРВАКУУМНОЙ ОБЛАСТИ ДАВЛЕНИЙ
0.915
ИКРБС
Электрофизические аспекты электронно-лучевых технологий обработки стекла на основе форвакуумных плазменных источников электронов (промежуточный отчет за 2 год)
0.911
ИКРБС
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.
0.909
НИОКТР
Вклад вторичной электронной эмиссии в процессы электронно-лучевой модификации диэлектрических материалов с использованием форвакуумных плазменных источников электронов.
0.909
НИОКТР