о выполнении НИОКР по теме: "Разработка электронного модуля на основе силовых GaN транзисторов для современных вторичных источников питания с повышенным КПД" (договор №445ГР/64870 от 24.12.2020) Этап №2"Изготовление гибридной интегральной схемы и силового GaN электронного модуля. Создание рабочего места для тестирования силового GaN электронного модуля. Измерение параметров силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной схемой. Разработка программы и методики испытаний силового GaN электронного модуля. Верификация топологий GaN монолитной интегральной схемы." (промежуточный)

На втором этапе выполнения проекта объектами исследования являются гибридные и монолитные интегральные схемы, а также силовой GaN электронный модуль. В задачи, решаемые при выполнении работы, входят изготовление силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной схемой, разработка программы и методики испытаний, создание рабочего места, измерение параметров модуля и верификация GaN монолитной интегральной схемы. Работа была выполнена на высоком технологическом уровне, были получены следующие результаты: 1) Создано рабочее место для тестирования силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной схемой. 2) Разработана программа и методика испытания силового GaN электронного модуля. 3) Изготовлена гибридная интегральная схема и силовой GaN электронный модуль. 4) Выполнено измерение параметров силового GaN электронного модуля с гибридной интегральной схемы. Показано, что параметры модуля соответствуют требованиям технического задания. 5) Верифицирована топология GaN монолитной интегральной схемы.