Исследование новых гетероструктурных материалов с использованием сегнетоэлектрических плёнок для создания рабочих элементов солнечных батарей

Предложен способ получения гетероструктуры (с использованием магнетронного распыления), состоящей из тонкой сегнетоэлектрической пленки титаната бария-стронция на подложке Si, в которой на границе раздела пленка/подложка накапливается электрический заряд. Измерения частотной зависимости емкости и проводимости этой гетероструктуры показали падение емкости и значительное увеличение проводимости. Измерения фотопроводимости показали, что фототок на границе раздела значительно возрастает при освещении гетероструктуры на длинах волн в области 514 нм. Кроме того, в образцах, подвергнутых ионной имплантации, наблюдается дополнительное увеличение фототока на границе раздела более чем на порядок. Сделан вывод о возможности увеличения концентрации носителей на границе раздела, когда кремниевый p/n-переход возбуждается зеленым светом, используя пленку BST в качестве дополнительного поглощающего слоя. Такие гетероструктуры могут быть использованы для создания новых материалов, перспективных для создания рабочих элементов солнечных батарей, использующих новые принципы и работающих в более широком спектральном диапазоне.