"Анализ соотношений между требуемыми функциональными параметрами сенсора и конфигурацией чувствительных элементов (подвешенная мембрана, теплопроводные консоли, поглощающий ИК-излучение слой, термоэлектрический элемент). Разработка топологии полупроводникового кристалла и его тестовых элементов. Моделирование конструкции сенсора в статическом состоянии. Выбор и обоснование основного материала – типоразмеров структур КНИ (SOI) и корпусов для изготовления экспериментальных образцов. Выбор и обоснование основного материала – комплектующих изделий для изготовления экспериментальных образцов. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца изделия. Разработка и изготовление оснастки для изготовления экспериментальных образцов. Разработка и изготовление оснастки для измерения экспериментальных образцов. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка сборки прототипа полупроводникового кристалла в корпус. Отработка новых технологических процессов изготовления тестовых элементов полупроводникового кристалла на пластинах и КНИ-структурах. Исследование и анализ тестовых элементов методами электронно-растровой микроскопии." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)

Отчет представлен на 141 странице. Отчет содержит 80 рисунков, 21 таблицу, 5 приложений, 22 источника. Отчет состоит из реферата, введения, основной части (разделы 1-12), заключения, списка использованных источников и 5 приложений. Перечень ключевых слов: ИК-фотоприемник; МЭМС-технология; композитная диэлектрическая мембрана; динамический эффект Зеебека; электромеханическая деформация; переключаемые термопары. Цель выполнения НИОКР – разработать тепловой МЭМС-сенсор с повышенным быстродействием по сравнению с представленными на рынке болометрическими и термопарными сенсорными элементами, чувствительными к ИК излучению. Области применения продукции: - Теплопеленгационная аппаратура, предназначенная для регистрации высокоскоростных объектов. - Тепловизоры с низкой инерционностью, обеспечивающей воспроизведение быстроизменяющейся тепловой сцены. В рамках этапа 1 НИОКР были достигнуты следующие результаты: 1. Проведен анализ соотношений между требуемыми функциональными параметрами сенсора и конфигурацией чувствительных элементов (подвешенная мембрана, теплопроводные консоли, поглощающий ИК-излучение слой, термоэлектрический элемент); 2. Разработана топология полупроводникового кристалла и его тестовых элементов; 3. Проведено моделирование конструкции сенсора в статическом состоянии; 4. Осуществлен выбор и обоснование основного материала – типоразмеров структур КНИ (SOI) и корпусов для изготовления экспериментальных образцов; 5. Осуществлен выбор и обоснование основного материала – комплектующих изделий для изготовления экспериментальных образцов; 6. Разработан технологический маршрут изготовления экспериментального образца изделия; 7. Разработана и изготовлена оснастка для изготовления экспериментальных образцов; 8. Разработана и изготовлена оснастка для измерения экспериментальных образцов; 9. Изготовлен комплект фотошаблонов; 10. Отработана сборка прототипа полупроводникового кристалла в корпус; 11. Отработаны новые технологические процессы изготовления тестовых элементов полупроводникового кристалла на пластинах и КНИ-структурах; 12. Проведено исследование и анализ тестовых элементов методами электронно-растровой микроскопии. Заявленные цели и задачи выполнены полностью.