Этап №1"Определение состава, выбор и обоснование гетероструктурных подложек из полупроводникового материала InP, материалов и комплектующих для изготовления СВЧ фотодиодов. Разработка технологических операций изготовления СВЧ фотодиодов на основе полупроводникового материала InP. Оценка технологий изготовления ИС ТИУ, выбор технологии. Разработка топологии сверхширокополосных ИС ТИУ с полосой пропускания с полосой до 20 ГГц на основе отечественного GaAs или КМОП техпроцесса. Разработка методики измерения электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Разработка технологических операций изготовления интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках." (промежуточный)

Отчет 74 с., 53 рис., 14 табл., 33 источника. ФОТОНИКА, GaAs, КМОП, SiO2, Si3N4, СВЧ, ПРИЕМОПЕРЕДАЮЩИЙ МОДУЛЬ, ОПТИЧЕСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ВОЛНОВОДЫ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (МИС), САПР Целью проекта является разработка технологий изготовления и экспериментальных образцов, проведение измерений интегральных схем (ИС) высокоскоростных InP PIN-фотодиодов (ФД), а также оптических элементов на подложке "кремний-на-изоляторе" (КНИ); разработка экспериментальных образцов и проведение измерений ИС трансимпедансного усилителя на отечественной полупроводниковой технологии с полосой не менее 20 ГГц; разработка технологии изготовления и экспериментальных образцов модулей оптических приемников для систем передачи данных до 25 Гб/с Основные задачи НИР на 1 этапе: 1) Определение состава, выбор и обоснование гетероструктурных подложек из полупроводникового материала InP, материалов и комплектующих для изготовления СВЧ фотодиодов; 2) Разработка технологических операций изготовления СВЧ фотодиодов на основе полупроводникового материала InP; 3) Разработка технологических операций изготовления интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках; 4) Оценка технологий изготовления ИС ТИУ, выбор технологии. 5) Разработка топологии сверхширокополосных ИС ТИУ с полосой пропускания с полосой до 20 ГГц на основе отечественного GaAs или КМОП техпроцесса. 6) Разработка методики измерения электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода.