ИКРБС
№ 222070400030-4Этап №1 "Разработка установки одностадийного аддитивного формирования барьерных контактов методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией на поверхности подложек. Отработка на прототипе методики формирования островковых пленок металлов на различных подложках. Подготовка комплектов эскизной конструкторской и технологической документации. Проектирование полупроводниковой структуры. Проведение литографических операций и подбор режимов по формированию омических контактов. Отработка режимов осаждения толстых пленок диэлектрика Si3N4 плазмохимическим методом. Отработка режимов и проведение литографичеких операций по формированию межсоединений на изолирующем диэлектрике. Исследование морфологии поверхности и стехиометрии состава пленок традиционными методами, измерение их электрофизических характеристик." (промежуточный)
10.06.2022
Объектом исследования являются конструкция и методы формирования электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц.
Цель работы – разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц на принципах использования сверхбыстродействующих неохлаждаемых диодов Шоттки и низкотемпературной технологии аддитивного формирования этих диодных структур методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией.
В результате выполнения 1 этапа НИР разработана экспериментальная лазерная технологическая установка, на её прототипе отработаны процессы формирования островковых плёнок металлов методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией на различных подложках.
Также подготовлен комплект эскизной конструкторской и технологической документации стадии разработки «Техническое предложение», спроектирована полупроводниковая структура электронного детектора.
Отработаны режимы и проведены литографические операции по формированию омических контактов и межсоединений на изолирующем диэлектрике, осаждению толстых плёнок диэлектрика Si3N4 плазмохимическим методом.
Также проведено исследование морфологии поверхности и стехиометрии состава плёнок, измерены их электрофизические характеристики.
Результаты планируется использовать на последующих этапах НИР.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.35.47 Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
47.03.05 Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
47.03.10 Теоретические основы электронной техники СВЧ
47.13.35 Лазерные технологии в электронном производстве
Ключевые слова
МЕТАЛЛО-ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ
ТЕРАГЕРЦОВАЯ ЧАСТОТА
ДИОД ШОТТКИ
ЛАЗЕРНОЕ ПАРОФАЗНОЕ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СОЛЕННА"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 6 000 000 ₽
Похожие документы
Этап №2. «Отработка методики формирования барьерных контактов
методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией в виде
островковой пленки металла на поверхности i-слоя различных площади,
толщины, металла/сплава. Формирование барьерных контактов на
прототипах кристаллов. Подготовка комплекта эскизной конструкторской и
технологической документации. Проведение предварительных испытаний.
Отработка режимов травления окон в диэлектрике Si3N4 плазмохимическим
методом. Отработка режимов и проведение литографических операций по
формированию микрополосковых линий. Отработка режимов травления
GaAs плазмохимическим методом. Отработка режимов травления Si
плазмохимическим методом»
0.948
ИКРБС
Исследование конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения
0.923
ИКРБС
Этап №2" Разработка технологического маршрута изготовления СВЧ фотодиодов на основе материала InP с гетеропереходом с квантовыми ямами. Разработка технологии корпусирования и монтажа фотонных интегральных схем. Разработка методики измерения электрических параметров широкополосного трансимпедансного усилителя (ТИУ). Разработка технологического маршрута изготовления и конструкций интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках. Определение состава, выбор и обоснование полупроводниковых подложек, материалов и
комплектующих для изготовления трансимпедансных усилителей."(промежуточный)
0.919
ИКРБС
Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения.
0.919
ИКРБС
Разработка топологии чувствительного элемента датчика. Изготовление фотолитографических масок на полиимидной основе для получения структурированных покрытий из термоэлектрических металлов и сплавов с целью формирования топологии чувствительных элементов датчиков. Получение первого функционального слоя покрытия чувствительного элемента датчика (структурированного покрытия). Получение второго функционального слоя покрытия чувствительного элемента датчика (структурированного покрытия). Разработка эскизной конструкторской документации на датчик температуры.
0.918
ИКРБС
Исследования конструктивно-технологических принципов обработки подложек полуизолирующего карбида кремния диаметром до 100 мм и эпитаксиального роста AlInGaN наногетероструктур для мощных СВЧ-транзисторов и МИС для высокоскоростных беспроводных сетей четвертого поколения. Апробация технологии обработки подложек карбида кремния
0.916
ИКРБС
Исследование и разработка технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения по теме: ИЗГОТОВЛЕНИЕ МАКЕТОВ, ПРОВЕДЕНИЕ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИХ ИСПЫТАНИЙ (промежуточный, этап 2)
0.916
ИКРБС
Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев
0.915
ИКРБС
Модификация характеристик полупроводниковых структур и лазеров на их основе методом прямой ионно-лучевой литографии
0.915
Диссертация
Исследования и разработка методов аддитивного производства электроники
0.915
ИКРБС