НОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ КВАНТОВОЙ ИНФОРМАТИКИ И ТЕЛЕКОММУНИКАЦИЙ (промежуточный, этап 1)

Объектом исследования являлись гибридные III-V полупроводниковые наноструктуры на поверхности кремния. Цели работ 2022 г. включали в себя: 1) Разработка технологий синтеза методом молекулярно-пусковой эпитаксии (МПЭ) новых гетероструктур на основе III-V нитевидных нанокристаллов (ННК) с квантовыми точками (КТ) и/или квантоыыми ямами (КЯ) при различных условиях роста на подложках монокристаллического кремния. 2) Исследование зависимостей физических свойств синтезированных гетероструктур от ростовых параметров, таких как температура подложки во время роста и время формирования КТ. Определение размеров и составов КТ в теле ННК. 3) Теоретические исследования направленности излучения из GaAs КТ в теле AlGaAs ННК, выращенных на поверхности кремния. 4) Исследование влияния послеростовой обработки (нанесение TOPO+коллоидные КТ CdSe/ZnS) на физические свойства InP ННК с InAsP КТ. 5) Синтез и исследование свойств соединений III-V на основе нитридов разных составов, морфологии, в том числе, переменной размерности на подложках монокристаллического кремния. Исследование влияния послеростовой обработки (нанесение наночастиц (НЧ) серебра) на физические свойства III-N ННК. 6) Синтез и исследование свойств InAs наноостровков на поверхности кремния и InAs КТ в матрице кремния.