«Разработка и оптимизация технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии. Изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии. Проведение испытаний экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур с композицией буферных слоев состава (Al, Ga)N»

Целью выполнения НИОКР является разработка базовой технологии формирования гетероструктуры нитрида галлия (GaN) на основе подложки карбида кремния на кремнии (3С-SiC/Si) методом металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ). В процессе реализации НИОКР на втором (промежуточном) этапе выполнены следующие работы: - разработан и оптимизирован технологический процесс формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии; - изготовлены экспериментальные образцы гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии; - проведены испытания экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур с композицией буферных слоев состава (Al, Ga)N. Настоящий отчет содержит краткие результаты работ, выполненных на 1 этапе проекта и результаты разработки технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке 3С-SiC/Si в основной части. Работы второго этапа НИОКР настоящего проекта выполнены своевременно и в полном объеме. Результаты работ полностью отвечают требованиям Технического задания и Календарного плана.