Синтез и исследование электронных свойств монокристаллических топологических изоляторов. (2 этап заключительный)

В недавних экспериментальных работах показано, что критический ток в различных сверхпроводящих системах может подавляться при подачи напряжения на затвор(гейт). Чтобы описать явление, приводящее к подавлению критического тока в металлических сверхпроводящих структурах была выдвинута гипотеза наличия полевого эффекта. Утверждается, что электрическое поле может проникать в сверхпроводник. Существование такого эффекта означало бы неполноту лежащей в основе теории и, следовательно, указывало бы на существенный пробел в общем понимании физики сверхпроводников. В данной работе исследуется полное симметричное подавление критического тока при очень низких приложенных критических напряжениях на затворе VG ± 0,6 В, через баллистический джозефсоновский контакт сверхпроводник-топологический изолятор-сверхпроводник (S/TI/S). Наш анализ показал, что этот эффект вызван инжекцией квазичастиц в слабую связь. Чтобы доказать нашу гипотезу, мы воспроизвели наиболее характерные черты прежних экспериментов с использованием титановых мостиков Дайема. Также в наших экспериментах было исследовано несколько типов кремния. Важно отметить, что мы не претендуем на то, чтобы данная работа аннулировала результаты предыдущих работ.