ИКРБС
№ 222122900081-7

Этап №2 «Этап 2. Технический проект. Проведение моделирования процесса электронного облучения полупроводниковых элементов тиристоров. Обоснование выбора конструктивного исполнения тиристоров и технологического процесса их производства. Разработка и утверждение КД технического проекта с присвоением документации литеры «Т». Корректировка технологической документации предназначенной для изготовления и испытания макетов тиристоров с присвоением литеры «П». Разработка программы и методик исследовательских испытаний макетов тиристоров. Изготовление макетов тиристоров на основе КД с литерой "Т" и технологической документации с литерой "П". Испытания макетов тиристоров, изготовленных на основе КД с литерой "Т" и технологической документации с литерой "П".»

23.12.2022

Отчет 68 с., 24 рис., 5 табл., 12 источн., 10 прил. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ, ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ, ФУНКЦИОНАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ, МОДЕЛИРОВАНИЕ, МАКЕТ ТИРИСТОРА Объектом исследований являются высоковольтные силовые тиристоры. Цель этапа 2 НИОКР – разработка, изготовление и испытание макетов высоковольтных тиристоров с улучшенными функционально-техническими характеристиками конкурентоспособных на российском и мировом рынке. В качестве макета тиристора был выбран тиристор на ток 800 А с напряжением 3600 В. В ходе выполнения этапа 2 НИОКР получены следующие результаты: 1) разработана физико-математическая модель, программа и методики проведения расчетов изменения электрических параметров ПЭ тиристоров в процессе электронного облучения ПЭ тиристоров; 2) на основе результатов выполненных расчетов разработана конструкторская документация (КД) технического проекта с присвоением документации литеры «Т»; 3) проведена корректировка технологической документации (ТД) предназначенной для изготовления и испытания макетов тиристоров с присвоением литеры «П»; 4) в соответствии с требованиями разработанных КД и ТД, изготовлены макеты тиристоров и, в соответствии с разработанной ПМ, проведены их испытания. Работа по этапу 2 успешно выполнена в полном объеме. Из анализа полученных результатов следует, что разработанные макеты тиристоров по своим параметрам соответствуют лучшим российским и зарубежным аналогам, а по значениям времени выключения и заряда обратного восстановления существенно их превосходят.
ГРНТИ
47.33.29 Дискретные полупроводниковые приборы
Ключевые слова
МАКЕТ ТИРИСТОРА
МОДЕЛИРОВАНИЕ
ФУНКЦИОНАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
ЭЛЕКТРОННОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ СИЛОВЫЕ ТИРИСТОРЫ
Детали

НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННЫЙ КОМПЛЕКС "ЭЛЕКТРОВЫПРЯМИТЕЛЬ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 5 000 000 ₽
Похожие документы
Этап №1 "Этап 1. Эскизный проект. Проведение расчетов с целью выбора оптимальной конструкции и технологии изготовления полупроводниковых элементов тиристоров. Разработка и утверждение КД эскизного проекта с присвоением документации литеры «Э». Разработка технологической документации предназначенной для изготовления и испытания макетов полупроводниковых элементов тиристоров с присвоением литеры «П». Разработка программы и методик исследовательских испытаний макетов полупроводниковых элементов тиристоров. Изготовление макетов полупроводниковых элементов тиристоров на основе КД с литерой "Э" и технологической документации с литерой "П". Испытания макетов полупроводниковых элементов тиристоров, изготовленных на основе КД с литерой "Э" и технологической документации с литерой "П"."
0.986
ИКРБС
Этап №3 "Этап 3. Разработка рабочей КД и ТД. Разработка КД для изготовления опытных образцов тиристоров. Разработка ТД для изготовления опытных образцов тиристоров. Изготовление опытных образцов тиристоров на основе рабочей КД и ТД для отработки процессов изготовления тиристоров. Разработка программы и методик предварительных испытаний опытных образцов тиристоров. (Промежуточный)
0.972
ИКРБС
«Проектирование и разработка силовых тиристоров российского производства на напряжение более 3600 В с улучшенными функционально-техническими характеристиками» (договор 33ГРРЭС14/71673 от 22.12.2021г.) (заключительный)
0.934
ИКРБС
Разработка аппаратно-программного комплекса для определения параметров тиристоров при электрических переходных процессах включения при повышенной скорости нарастания тока в открытом состоянии
0.920
НИОКТР
Исследование процесса переключения силовых диодных и тиристорных структур при сверхвысокой скорости нарастания воздействующего напряжения (Итоговый за 2017 г.)
0.908
ИКРБС
Разработка установки для измерения теплового сопротивления силовых полупроводниковых приборов таблеточной конструкции
0.904
НИОКТР
Исследование процесса переключения силовых диодных и тиристорных структур при сверхвысокой скорости нарастания воздействующего напряжения (Промежуточный за 2016 г.)
0.899
ИКРБС
Этап №1 «Разработка принципиальных схем технологического источника тока, проведение тестовых испытаний силовых полупроводниковых приборов по напряжению лавинного пробоя, напряжению насыщения при рабочем токе на соответствие паспортным данным (входной контроль). Разработка топологий печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера. Изготовление печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера. Разработка и тестирование программного обеспечения. Изготовление оснастки для прототипа технологического источника тока. Распайка печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера, монтаж межблочных соединений технологического источника тока.» (промежуточный)
0.897
ИКРБС
Исследование процессов переключения и коммутации тока силовыми тиристорами при их запуске в режиме ударно-ионизационной волны (Промежуточный за 2017 г.)
0.894
ИКРБС
Этап №1 "Разработка схемы электрической принципиальной макета цифрового высоковольтного источника питания. Разработка топологии печатной платы макета цифрового высоковольтного источника питания. Изготовление макета цифрового высоковольтного источника питания. Разработка базового системного программного обеспечения макета цифрового высоковольтного источника питания. Тестирование базового функционала макета цифрового высоковольтного источника питания. Анализ работы макета цифрового высоковольтного источника питания." (промежуточный)
0.894
ИКРБС