Этап №2. «Отработка методики формирования барьерных контактов методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией в виде островковой пленки металла на поверхности i-слоя различных площади, толщины, металла/сплава. Формирование барьерных контактов на прототипах кристаллов. Подготовка комплекта эскизной конструкторской и технологической документации. Проведение предварительных испытаний. Отработка режимов травления окон в диэлектрике Si3N4 плазмохимическим методом. Отработка режимов и проведение литографических операций по формированию микрополосковых линий. Отработка режимов травления GaAs плазмохимическим методом. Отработка режимов травления Si плазмохимическим методом»

Отчёт 43 с., 1 кн., 17 рис., 15 табл., 17 источн. ЛАЗЕРНОЕ ПАРОФАЗНОЕ ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ, ДИОД ШОТТКИ, ТЕРАГЕРЦОВАЯ ЧАСТОТА, МЕТАЛЛО-ОРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ Объектом исследования являются конструкция и методы формирования электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц. Цель работы – разработка, изготовление и испытания прототипов электронных детекторов сигналов с частотой модуляции не менее 1 ТГц на принципах использования сверхбыстродействующих неохлаждаемых диодов Шоттки и низкотемпературной технологии аддитивного формирования этих диодных структур методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией. В результате выполнения 2 этапа НИОКР отработана методика формирования барьерных контактов методами ALD/CVD с лазерной импульсной локальной активацией в виде островковой пленки металла на поверхности i-слоя различных площади, толщины, металла/сплава, сформированы барьерные контакты на прототипах кристаллов. Подготовлен комплект эскизной конструкторской и технологической документации стадии разработки «Эскизный проект» на прототип кристалла электронного детектора. Проведены предварительные испытания прототипов кристаллов электронных детекторов. Отработаны режимы травления окон в диэлектрике Si3N4 плазмохимическим методом. Отработаны режимы и проведены литографические операции по формированию микрополосковых линий. Отработаны режимы травления GaAs и Si плазмохимическим методом. Результаты планируется использовать на последующих этапах НИОКР.