Моделирование, создание и исследование перспективных материалов и разработка нового поколения датчиков различной функциональности для сенсорных и информационно-телекоммуникационных систем

Целью работы является разработка, создание и исследование свойств новых наноматериалов и структур для их применения в сенсорах с различной функциональностью на основе наноэлектронных, оптоэлектронных и акустоэлектронных технологий для широкого применения в сенсорных, диагностических и информационно-телекоммуникационных системах. В результате исследований на первом этапе НИР: показано, что характер краевой фотолюминесценции микрокристаллов ZnO зависит от их размеров, а использование Au позволяет получить трехкратное усиление краевого излучения нанокристаллов ZnO, на нитевидных кристаллах Si. Измерена зависимость сопротивления пленок оксида графена в зависимости от различных методов его восстановления. Показано возможность ее использования для создания электродных структур акустоэлектронных датчиков. Показано, что проводимость растворов с вирусом трансмиссивного гастроэнтерита значительно меняется вследствие специфического биологического взаимодействия. Разработаны технологические методики синтеза матричных композитных наноструктур на основе пористого анодного Al2O3, композитных проволочных наноструктур (НТ)TiO2/Ti+Pt. Показана возможность создания на их основе одноэлектродных сенсоров с селективным откликом на пары метанола, этанола и изопропанола. Разработана методика и проведены измерения коэффициентов диффузии в высокоомных МДП структурах на основе CdZnTe и CdTe с фоточувствительным распределением электрического поля. Показано, что увеличение длительности УК импульсов фототока с ростом внешних макропараметров обусловлено большим продольным коэффициентом диффузии в GaAs. Исследован транспорт фононов тепловых частот в аморфных материалах. Показано, что формирование области плато на температурной зависимости теплопроводности при Т < 10 К может быть связано с возникновением «щели» в спектре фононных состояний. Разработаны и апробированы новые методы и средства измерения внутренней квантовой эффективности светодиодов по ватт-амперной характеристике. Создан измерительный комплекс для исследования рекомбинационного излучения и фотоэлектрического отклика структур полупроводниковых приборов. Все запланированные на 2022 год работы успешно выполнены. По результатам выполненных работ опубликовано 44 работы с DOI в российских и зарубежных журналах, в т.ч.12 статей в Q1. Защищена 1 кандидатская диссертация.