Развитие технологии формирования и исследование наноструктур и новых компонентов наноэлектроники на основе полупроводниковых, металлических и сверхпроводниковых слоев

Целью работы являлись поиск новых методов формирования полупроводниковых микроструктур, перспективных для приборов суб-терагерцового и терагерцового диапазонов; развитие технологии пленок высокотемпературных сверхпроводников для новых приборов микроэлектроники; разработка оригинальных фотопреобразователей энергии солнечного света на основе органических многослойных тонкоплёночных структур; развитие методов диагностики и анализа указанных микро- и наноструктур, включая инновационные методики прецизионной низкокогерентной оптической интерферометрии. В процессе работы были решены следующие задачи: - исследовано влияние термического отжига на параметры низкобарьерных диодов Мотта Ti/AlGaN/GaN с приповерхностным поляризационно-индуцированным -легированием - исследовано влияния разориентации подложек GaAs на морфологию поверхности, структуру и электрофизические свойства псевдоморфных гетероструктур, а также параметры транзисторов на их основе - разработаны условия осаждения поликристаллических слоев GeSn на подложках монокристаллического алмаза ориентации(100) с высокой подвижностью дырок; - проведены работы по оптимизации технологии изготовления ВТСП пленок YBCO и продемонстрирована возможность создания низкоомных контактов к данным плёнкам; - исследованы свойства перспективных органических фотоабсорберов для применения в фотовольтаических ячейках; - продемонстрирована возможность in situ контроля температуры и скорости травления кварцевых подложек. Таким образом, все поставленные задачи выполнены в строгом соответствии с Техническим заданием.