ИКРБС
№ 223021600255-0Наноструктурированные полупроводники, дираковские материалы и кристаллы биологически активных веществ для фотоники, спинтроники, квантовых вычислений и биомедицины
30.01.2023
"Объектами исследования являются наноструктуры на основе классических полупроводников и топологических изоляторов с магнитными и немагнитными примесями, мемристивные структуры, а также различные биологически активные соединения.
Целью работы является расчет характеристик изучаемых объектов и экспериментальное исследование их структурных, тепловых и транспортных свойств, с точки зрения возможного использования их в квантовых вычислениях, устройствах памяти, био-медицине.
При решении задач проекта использовались аналитические и численные методы квантовой механики, теории полупроводников, а также рентгеноструктурный анализ, низкотемпературная рентгенография, дифференциальная сканирующая калориметрия, послойное магнетронное осаждение и сканирующая кельвиновская микроскопия.
На этапе проекта 2022 года были решены следующие задачи: расчет поперечного термомагнитного эффекта в двоякопериодических сверхрешетках без центра инверсии на основе полупроводниковых материалов; построение модели, описывающей динамику заряда и спина в двойной квантовой точке на основе арсенида галлия в периодическом электрическом поле для различных режимов; микроскопическое обоснование модели локализованных состояний на крае двумерного топологического изолятора с магнитными барьерами; расчет персистентных токов (зарядовых и спиновых) изолированных одномерных квантовых колец Ааронова-Бома с периодически модулированным спин-орбитальным взаимодействием Рашбы; получение дисперсионных уравнений для определения энергетического спектра колец с однородным спин-орбитальным взаимодействием и внедренной немагнитной, или магнитной, примесью; расчет электронной зонной структуры гексагональных и ромбоэдрических фаз (политипов) кремния и германия в зависимости от степени гексагонализации (последовательности «алмазных» и гексагональных слоев); исследование электрических и фотоэлектрических характеристик лабораторных макетов фоточувствительных мемристоров видимого и ближнего ИК диапазонов; определение атомной структуры сольвата кортизон ацетата при температуре 100 К, структуры хелатного комплекса церия(III) с монопротонированной нитрило-трис (метиленфосфоновой) кислотой, ряда дикарбоксилатов трифенилвисмута с общей формулой Ph3Bi(O2CR)2, определение кристаллической структуры 9,10-бис(триизопропилсилилэтинил)антрацена при 100К и 295К.
Рекомендации по внедрению: результаты рекомендуется использовать в образовательном процессе и при разработке нового поколения устройств нано-, оптоэлектроники и спинтроники, а также био-препаратов, регулирующих протекание процессов в живых клетках."
ГРНТИ
29.19.03 Теория конденсированного состояния
Ключевые слова
МЕМРИСТОР
ГЕКСАГОНАЛЬНЫЕ ПОЛИТИПЫ
НАНОКОЛЬЦА ААРОНОВА-БОМА
ПРИМЕСЬ
ТЕРМОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ
Детали
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
Бюджет
Средства федерального бюджета: 10 999 745 ₽
Похожие документы
Наноструктурированные полупроводники, дираковские материалы и кристаллы биологически активных веществ для фотоники, спинтроники, квантовых вычислений и биомедицины
0.985
ИКРБС
Наноструктурированные двумерные дираковские и классические материалы: электронная и спиновая структура; энергетика; оптические свойства
0.943
ИКРБС
Квантовые структуры для квантовых технологий
0.942
ИКРБС
Квантовые структуры для квантовых технологий (отчет за 2 этап, 2024 год)
0.935
ИКРБС
Наноструктурированные полупроводники, дираковские материалы и кристаллы биологически активных веществ для фотоники, спинтроники, квантовых вычислений и биомедицины
0.933
НИОКТР
Теоретическое и экспериментальное исследование свойств перспективных наноматериалов для функциональной электроники на основе полупроводников и активных диэлектриков
0.930
ИКРБС
Физика низкоразмерных электронных систем на основе полупроводниковых и топологических материалов, перспективных для применений в электронике
0.929
ИКРБС
Технологии и атомистическая диагностика твердотельных наногетеросистем
0.928
ИКРБС
Получение и свойства функциональных материалов на основе сложных наномасштабных структур
0.926
НИОКТР
Получение и свойства функциональных материалов на основе сложных наномасштабных структур
0.926
НИОКТР