ИКРБС
№ 223020200605-0

Разработка наноэлектромеханических структур на основе сегнетоэлектрических пленок

23.12.2022

Всего 13 с., 3 рис., 3 прил. СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, ТОНКИЕ ПЛЕНКИ, ДВУМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ, МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА В настоящее время микромеханические (МЭМС) и наномеханические (НЭМС) системы широко используются в электронных устройствах и круг их применений постоянно расширяется. Базовым элементом МЭМС и НЭМС является электромеханический преобразователь энергии. Он определяет, как удельную мощность таких устройств, так и, в некоторых случаях, их быстродействие. Целью проекта является разработка физико-технических принципов создания нового элемента нано-микроэлектромеханики: металл–сегнетоэлектрик–нанозазор–подвижный электрод как электромеханического преобразователя энергии с большой удельной мощностью. Целью проекта является также разработка технологии изготовления указанного элемента. Исследована доменная структура полученных тонких сегнетоэлектрических пленок путем анализа их пироэлектрического отклика на быстрый неравномерный нагрев. Выяснено, что для при росте пленок н подложках с близкими коэффициентами термического расширения или при росте при невысокой температуре, полученные пленки имеют структуру в виде встречных доменов и общая поляризация может быть близка к нулю. При этом, в отличие от объемного материала, не всегда возможно поляризовать пленку в электрическом поле, поскольку влияние границ велико. Выращивание пленок при высоких температурах на подложках, коэффициент термического расширения пленки и подложки сильно отличаются приводит к тому, что пленка получается поляризованная, что нужно для многих приложений. Совместно с Институтом физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН найдены технологические режимы роста пленок Sr1-xBaxNb2O6 для пироэлектрической мишени инфракрасного пироэлектрического видикона (диапазон 1 – 14 мкм), обеспечивающие поляризацию пленки сегнетоэлектрика. Показано, что предельная мощность МЭМС двигателей и актюаторов на основе ранее предложенных конструкций многослойных тонкопленочных структур металл–сегнетоэлектрик–нанозазор–металл ограничивается пробоем в нанозазоре и возникновением неустойчивостей в виде двумерных электромеханических волн.
ГРНТИ
47.09.33 Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16 Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
Ключевые слова
микроэлектромеханические устройства
двумерные системы
тонкие пленки
сегнетоэлектрики
Детали

НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук
Бюджет
Средства федерального бюджета: 15 011 000 ₽
Похожие документы
Разработка наноэлектромеханических структур на основе сегнетоэлектрических плёнок
0.959
ИКРБС
РАЗРАБОТКА НАНОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКИХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК
0.957
ИКРБС
Разработка наноэлектромеханических структур на основе сегнетоэлектрических пленок
0.942
НИОКТР
Гетероструктуры с наноразмерными пленками сегнетоэлектриков и мультиферроиков для новых управляемых элементов функциональной электроники и МЭМС
0.935
НИОКТР
Гетероструктуры с наноразмерными пленками сегнетоэлектриков и мультиферроиков для новых управляемых элементов функциональной электроники и МЭМС
0.935
НИОКТР
Электрофизические свойства сегнетоэлектрических гетероструктур для нового поколения устройств электроники
0.931
НИОКТР
Создание принципиально новых элементов микроэлектроники на гетероструктурах с наноразмерными сегнетоэлектрическими пленками как новой электрически-управляемой среды
0.931
ИКРБС
Мемристорные и мультиферроидные материалы для устройств наноэлектроники
0.930
ИКРБС
Создание принципиально новых элементов микроэлектроники на гетероструктурах с наноразмерными сегнетоэлектрическими пленками как новой электрически-управляемой среды
0.930
НИОКТР
Гетероструктуры, многослойники и сверхрешетки нелинейных диэлектриков – новая континуальная среда для микроэлектроники нового поколения.
0.928
НИОКТР