Разработка конструкций и технологии создания гетероструктур приборов свч-микроэлектроники в интересах российской промышленности

Объектом исследования являются СВЧ МИС Х-диапазона на основе полупроводников А3В5. Цель работы – поисковые научные (ориентированные фундаментальные) исследования, оптимизация существующих, разработка новых конструкций и технологии создания полупроводниковых гетероструктур приборов СВЧ-микроэлектроники. Результаты работы: на первом этапе проведены аналитические и патентные исследования по теме проекта. Показано, что наиболее оптимальным подходом для создания приборных гетероструктур малошумящего усилителя, буферного усилителя и 6-ти разрядного аттенюатора с рабочим диапазоном 9-10,6 ГГц является рост методом молекулярно-пучковой эпитаксии транзисторных гетероструктур типа HEMT на основе полупроводниковых соединений А3В5. Полученные результаты будут использованы для выполнения задач следующего этапа, а именно для разработки принципиальных конструкций гетероструктур для изготовления СВЧ МИС и проведения экспериментов по синтезу гетероструктур для СВЧ МИС методом молекулярно-пучковой эпитаксии.