ИКРБС
№ 223020300069-9

Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики

31.01.2023

Объектом исследования являются свойства дефектов структуры и влияние дефектов структуры на свойства различных материалов, приводящие к интересным физическим явлениям или существенные для практических применений этих материалов, в частности в альтернативных источниках энергии, фотоэлектронике, микроэлектронике, сенсорике. Целью работы является использование дефектов структуры для модификации свойств твердых тел и для создания материалов и структур, интересных для фундаментальных исследований или практических применений. Результаты работы: Изготовлены и исследованы образцы некоторых материалов и структур, изучены свойства кристаллических дефектов в них, развиты основы технологий для практического использования этих материалов и структур. В 2022г работы велись в следующих направлениях: - Эволюция структуры оболочек полых частиц SiO2 в процессе термообработки. - Синтез катодных материалов (Pr0.6Sr0.4)0.97MnO3-δ и исследование коэффициента диффузии и константы поверхностного обмена; - Разработка методов изготовления ТОТЭ планарной геометрии на трехслойном несущем электролите состава 6ScSZ|10Sc1YSZ|6ScSZ с (Pr0.6Sr0.4)0.97MnO3- катодом; - Получение и исследование новых сложных оксидов d-металлов, с большими концентрациями вакансий кислорода как новых функциональных материалов для твердооксидных топливных элементов (ТОТЭ), сенсоров, и мемристоров. - Исследование e-h-рекомбинации на протяженных дефектов в мульти-кристаллическом UMG кремнии для солнечной энергетики. - Исследование аномальной температурной зависимости дислокационной люминесценции в ионно-имплантированном кремнии. Области применения: Полученные в ходе выполнения НИР в 2022 году результаты служат дальнейшему развитию физики дефектов в конденсированных средах и могут быть использоваться, в перспективе, для создания новых микроэлектронных устройств, устройств альтернативной энергетики, различных сенсоров.
ГРНТИ
29.19.31 Полупроводники
29.19.22 Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.15 Фазовые равновесия и фазовые переходы
29.19.04 Структура твердых тел
29.19.11 Дефекты кристаллической структуры
Ключевые слова
ИНЖЕНЕРИЯ ДЕФЕКТОВ
ВРЕМЯ ЖИЗНИ
ПЕРОВСКИТ
ПОВЕРХНОСТЬ
ТОПОЛОГИЧЕСКИЙ ИЗОЛЯТОР
СКАНИРУЮЩАЯ ТУННЕЛЬНАЯ МИКРОСКОПИЯ
МЕМРИСТОР
ТОПЛИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
ГРАНИЦЫ ЗЕРЕН
ДИСЛОКАЦИИ
Детали

НИОКТР
Заказчик
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
Исполнитель
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА ИМЕНИ Ю.А. ОСИПЬЯНА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Бюджет
Средства федерального бюджета: 75 671 870 ₽
Похожие документы
Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики
0.974
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов перспективных материалов для альтернативных источников энергии, фотоэлектроники и сенсорики
0.973
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов материалов для альтернативных источников энергии, фотовольтаники и сенсорики
0.964
ИКРБС
Физика, технология и инженерия дефектов в материалах для альтернативных источников энергии, электроники и сенсорики
0.933
НИОКТР
Физика, технология и инженерия дефектов в материалах для альтернативных источников энергии, электроники и сенсорики
0.932
НИОКТР
Экспериментальные и теоретические исследования электронных, магнитных, оптических и фотоэлектрических процессов в полупроводниках и полимерных материалах, а также в приборах на их основе
0.908
ИКРБС
Функциональные материалы для микроэлектроники и фотоники
0.908
ИКРБС
Диагностика и физическое материаловедение перспективных материалов, низкоразмерных структур и приборов для микро-, нано-, акустоэлектроники и радиофотоники
0.906
ИКРБС
ДИАГНОСТИКА И ФИЗИЧЕСКОЕ МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ ПЕРСПЕКТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ, НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУР И ПРИБОРОВ ДЛЯ МИКРО-, НАНО-, АКУСТОЭЛЕКТРОНИКИ И РАДИОФОТОНИКИ
0.906
ИКРБС
ОТЧЕТ О НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ по теме: Физика кристаллизации и свойства кристаллов и пленок (промежуточный, Этап 2)
0.905
ИКРБС