ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ И ПОИСКОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ В ОБЛАСТИ СОЗДАНИЯ ПЕРСПЕКТИВНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ И ЕЕ КЛЮЧЕВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ (промежуточный, этап 1)

Впервые развита теория неустойчивости границы слоев проводящих соединенных материалов в результате электромиграционного массопереноса при прохождении электрического тока. Развита модель кинетики адсорбции точечных кристаллических дефектов границей тонкопленочных слоев соединенных материалов, направленная на совершенствование технологии изготовления многослойных наноструктур путем внедрения точечных дефектов в соединенные материалы. С целью разработки мессбауэровского синхротронного источника разработаны и реализованы континуальные и квантово-механические модели магнитной динамики системы магнитных наночастиц и нанопроволок с учетом реальной структуры. Разработан базовый математический аппарат теории пятен. Решена задача реконструкции изображения плоских фигур только по качественным данным его элементарных связей с базисными фигурами. Проведены тестовые эксперименты ВЧ индуктивного источника плазмы по атомно-слоевому травлению пластин диаметром более 300 мм. Разрабатываются ключевые технологии формирования ALD спейсеров для туннельных нанотранзисторов. Разработана модель заполнения полостей в резисте при сухом электронно-лучевом травлении резиста с использованием сложной структуры поверхности. Впервые проведены исследования плазменного изотропного травления кремния в широком диапазоне потоков атомарного фтора на поверхность с использованием нескольких методов диагностики плазмы. В целях создания компактного и эффективного источника терагерцового излучения мощностью 5 мВт и выше, работающего при комнатной температуре, разработана модель генератора и приемника терагерцового излучения. Предложена методика формирования массива наночастиц металлов, основанная на комбинации методов наносферной коллоидной литографии и ионно-лучевой обработки. Предложена теоретическая модель, позволяющая с единых физических позиций объяснить различие поведения сопротивлений RLRS и RHRS в мемристорах, работающих по механизму изменения валентности, со временем хранения информации.