ИКРБС
№ 223020600265-2Изготовление макетных образцов микросхем. Исследование параметров макетных образцов микросхем. Разработка принципиальных схем микросхем. Моделирование работы микросхем. Разработка топологий кристаллов микросхем.
23.12.2022
Целью НИОКР является разработка трех высоковольтных интегральных микросхем: двухканального драйвера силовых ключей без гальванической изоляции – ИМС1, интегрального низковольтного одноканального импульсного понижающего преобразователя без гальванической изоляции с обратной связью по напряжению – ИМС2, ШИМ-контроллера с управлением по току силового МОП-транзистора – ИМС3. Разрабатываемые микросхемы предназначены для использования в современных и перспективных источниках вторичного электропитания.
В соответствии с календарным планом и ТЗ на 2 этапе выполнены следующие работы:
- изготовлены макетные образцы микросхем;
- исследованы параметры макетных образцов микросхем;
- разработаны принципиальные схемы микросхем;
- выполнено моделирование работы микросхем;
- разработаны топологии кристаллов микросхем.
Достигнутые в ходе выполнения 2 этапа НИОКР результаты полностью удовлетворяют поставленным задачам календарного плана и ТЗ.
ГРНТИ
47.14.07 Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Ключевые слова
источники вторичного электропитания
СБИС
драйвер силовых ключей
импульсный понижающий преобразователь
DC-DC преобразователь
D-CAP2
ШИМ-контроллер
BCD технологический процесс
топология кристалла
МОП транзисторы
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "СИБИС"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 6 860 000 ₽; Собственные средства организаций: 2 150 000 ₽
Похожие документы
Разработка структурных схем микросхем. Определение необходимого набора элементов "правил проектирования" производителя кристаллов и требований к ним, выбор технологий изготовления кристаллов микросхем. Разработка принципиальных схем макетных образцов микросхем. Моделирование работы макетных образцов микросхем. Разработка топологии кристаллов макетных образцов микросхем.
0.975
ИКРБС
Разработка методик измерений микросхем. Разработка программ и методик предварительных испытаний опытных образцов микросхем. Разработка ЭКД на измерительные средства и оснастку для проведения измерений и испытаний микросхем. Изготовление измерительных средств и оснастки для проведения измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочего места для измерений и испытаний микросхем. Разработка рабочей КД и ТД на микросхемы. Изготовление опытных образцов микросхем. (промежуточный)
0.973
ИКРБС
"Проектирование и разработка высоковольтных микросхем управления источниками вторичного электропитания широкого назначения" (договор №22ГРРЭС14/71681 от 20.12.2021) (заключительный)
0.942
ИКРБС
Разработка и верификация топологии макетного образца ИМС.
Разработка сборочного чертежа макетного образца ИМС.
Изготовление полупроводникового кристалла макетного образца ИМС. Технологическая сборка полупроводникового кристалла в установленный тип корпуса макетного образца. Разработка технологического маршрута сборки. Сборка макетного образца ИМС.
Разработка программы и методики лабораторных измерений макетного образца ИМС.
Изготовление измерительной оснастки макетного образца ИМС.
Проведение лабораторных измерений макетного образца ИМС.
(промежуточный)
0.936
ИКРБС
Изготовление полупроводниковых кристаллов опытных образцов ИМС. Разработка программы и методики лабораторных испытаний. Разработка тестовой оснастки: разработка электрической схемы и топологии печатной платы для проведения лабораторных испытаний.
0.925
ИКРБС
Разработка перспективных технологий и конструкций серии интегральных микросхем мультифункционального контроля и управления источниками вторичного электропитания энергоэффективных светодиодных систем
0.919
ИКРБС
Измерение параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1,
5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка программ и методик предварительных испытаний МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Проведение предварительных испытаний макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка РКД и ТД на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления опытных образцов
кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
Изготовление опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.
0.917
ИКРБС
Этап №1 «Разработка принципиальных схем технологического источника тока, проведение тестовых испытаний силовых полупроводниковых приборов по напряжению лавинного пробоя, напряжению насыщения при рабочем токе на соответствие паспортным данным (входной контроль).
Разработка топологий печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера.
Изготовление печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера.
Разработка и тестирование программного обеспечения.
Изготовление оснастки для прототипа технологического источника тока.
Распайка печатных плат реверсивного импульсного генератора тока и блока микроконтроллера, монтаж межблочных соединений технологического источника тока.»
(промежуточный)
0.915
ИКРБС
"Разработка спецификации интегральной микросхемы. Разработка структурной схемы ИМС. Разработка принципиальных электрических схем аналоговых СФ-блоков. Схемотехническое моделирование аналоговых СФ-блоков ИМС. Функциональное моделирование системы верхнего уровня ИМС. Разработка и верификация топологии аналоговых СФ-блоков ИМС. Разработка измерительной оснастки на основе электронного печатного модуля (платы)". (Промежуточный)
0.915
ИКРБС
Этап №1 "Разработка схемы электрической принципиальной макета цифрового высоковольтного источника питания. Разработка топологии печатной платы макета цифрового высоковольтного источника питания. Изготовление макета цифрового высоковольтного источника питания. Разработка базового системного программного обеспечения макета цифрового высоковольтного источника питания. Тестирование базового функционала макета цифрового высоковольтного источника питания. Анализ работы макета цифрового высоковольтного источника питания." (промежуточный)
0.914
ИКРБС