Разработка ТД изготовления макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов и МИС УВЧ Литер 1, 2 и 3.Изготовление макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт.Измерение параметров тестовых структур и макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт. Разработка эскизной КД на кристаллы МИС УВЧ Литер 1, 2 и 3.Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3.Изготовление макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3

Отчет 52 с., 36 рис., 11 табл., 6 прил. Нитрид галлия, транзистор с высокой подвижностью электронов, УВЧ, усилитель, HEMT, GaN-on-Si, гетероструктура, измерение СВЧ параметров, межоперационный контроль. Цель работ, выполненных в рамках 2 этапа, – изготовление и измерение параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт. В ходе выполнения второго этапа проекта разработана технологическая документация для изготовления макетных образцов кристаллов мощных УВЧ-транзисторов и МИС УВЧ литер 1, 2 и 3. По технологической документации изготовлены макетные образцы кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт. Измерение низкочастотных и высокочастотных параметров тестовых структур и макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт показало, что измеренные значения выходной мощности, коэффициента усиления, коэффициента полезного действия, рабочего диапазона частот выполняют требования технического задания и находятся на уровне зарубежных аналогов. Параметры макетных образцов УВЧ-транзисторов подходят для моделирования и макетирования МИС УВЧ. Проведено моделирование и разработана эскизная конструкторская документация на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2 и 3. На основе ТД и КД разработан и изготовлен комплект фотошаблонов для изготовления кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3 и изготовлены макетные образцы кристаллов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3.