Поиск конструктивно-технологических методов создания малоинерционных резистивных ИК-источников излучения с высокоэмиссионным покрытием

Объектом исследования являются конструктивно-технологические методы создания малоинерционных резистивных ИК-источников излучения в диапазоне длин волн от 1 до 20 мкм. Цель работы – проведение теоретических и экспериментальных исследований, направленных на разработку и изготовление макетов малоинерционных ИК-источников излучения, создаваемых с применением отечественной производственной базы и конструктивно-технологических методов разработки изделий микроэлектроники и микроэлектромеханических систем (МЭМС). Во введении перечислены основные типы конструкций ИК-источников с их преимуществами и недостатками. Кратко изложены актуальность и задачи исследования. В первой главе проведен аналитический обзор современных конструкций ИК-источников излучения и технологических способов их изготовления. Во второй главе выполнен обзор наиболее важных областей науки и техники, в которых находят широкое применение малоинерционные ИК-источники излучения. В третье главе рассмотрены технологические методы изготовления ИК-источников с использованием МЭМС-технологии. Изложен физический принцип и способы формирования эмиссионных черных покрытий. Описаны особенности технологии корпусирования и их влияние на параметры ИК-источников. Рассмотрен вопрос повышения излучательной эффективности и снижения инерционности посредством применения массивов ИК-источников. В заключении проведено обобщение по проведенным исследованиям. Сделаны выводы о наиболее перспективных направлениях исследования по созданию малоинерционных ИК-источников с использованием отечественной производственной базы и конструктивно-технологических методов разработки изделий микроэлектроники и микроэлектромеханических систем (МЭМС). Проведен патентный поиск по теме исследования в соответствии с ГОСТ Р 15.011. Проанализировано 627 единицы патентных документов, относящихся к анализируемой тематике из массива патентных документов базы данных Федерального института промышленной собственности Российской Федерации по Российской Федерации и зарубежных баз данных.