Диэлектрическая спектроскопия легированных переходными металлами нанокристаллических пленок оксидов ванадия – базовых элементов систем оптической памяти

В рамках реализации проекта было проведено синтез тонких пленок диоксида ванадия с различной степенью легирования хромом, железом, вольфрамом, магнием, никелем и германием, исследована морфология и структура их поверхности методами сканирующей электронной и атомно-силовой микроскопии, разработан способ повышения точности диэлектрического метода при определении электрофизических параметров нанокристаллических пленок. Методами диэлектрической и оптической спектроскопии выявлены особенности поляризационных процессов, протекающих при мотт-пайерлсовском фазовом переходе в тонких пленках диоксида ванадия – материале с сильными электрон-электронными корреляциями, разработаны модели модификации механизмов фазовых превращений под влиянием различных технологических факторов.