Этап №3 «Разработка технологических операций изготовления СВЧ транзисторов и компонентов интегральной схемы ТИУ. Изготовление экспериментальных образцов СВЧ фотодиодов. Экспериментальное исследование электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Системный расчет и моделирование параметров оптических приемников на основе ИС ФД и ИС ТИУ. Изготовление и измерение экспериментальных образцов интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках (волноводы, устройства ввод-вывода, делители). Определение состава, выбор и обоснование металлокерамических корпусов и комплектующих для сборки оптического приемного модуля.»

Отчет 143 с., 115 рис., 3 табл., 22 источника, 1 приложение. ФОТОНИКА, GaAs, КМОП, SiO2, Si3N4, СВЧ, ФОТОДИОД, ОПТИЧЕСКИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ВОЛНОВОДЫ, ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ, МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА (МИС), САПР. Целью проекта является разработка технологий изготовления и экспериментальных образцов, проведение измерений интегральных схем (ИС) высокоскоростных InP PIN-фотодиодов (ФД), а также оптических элементов на подложке "кремний-на-изоляторе" (КНИ); разработка экспериментальных образцов и проведение измерений ИС трансимпедансного усилителя на отечественной полупроводниковой технологии с полосой не менее 20 ГГц; разработка технологии изготовления и экспериментальных образцов модулей оптических приемников для систем передачи данных до 25 Гб/с Основные задачи НИОКР на 3 этапе: 1) Разработка технологических операций изготовления СВЧ транзисторов и компонентов интегральной схемы ТИУ. 2) Изготовление экспериментальных образцов СВЧ фотодиодов. 3) Изготовление и измерение экспериментальных образцов интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках (волноводы, устройства ввод-вывода, делители). 4) Определение состава, выбор и обоснование металлокерамических корпусов и комплектующих для сборки оптического приемного модуля. 5) Экспериментальное исследование электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. 6) Системный расчет и моделирование параметров оптических приемников на основе ИС ФД и ИС ТИУ.