Измерение параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряда 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка программ и методик предварительных испытаний МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Проведение предварительных испытаний макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка РКД и ТД на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Разработка и изготовление комплекта фотошаблонов для изготовления опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Изготовление опытных образцов кристаллов МИС УВЧ литер 1, 2, 3.

Отчет 33 с., 25 рис., 5 табл., 7 прил. Нитрид галлия, транзистор с высокой подвижностью электронов, УВЧ, усилитель, HEMT, GaN-on-Si, гетероструктура, измерение СВЧ параметров, межоперационный контроль Цель работ, выполненных в рамках 3 этапа, – проверка параметров макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3 на соответствие требованиям ТЗ, подготовка к производству и изготовление опытных образцов. В ходе выполнения третьего этапа проекта были проведены измерения параметров макетных образцов мощных УВЧ-транзисторов ряды 1, 5, 10 Вт и МИС УВЧ литер 1, 2, 3, изготовленных на предыдущем этапе. Была разработана программа и методики предварительных испытаний и проведены испытания макетных образцов МИС УВЧ литер 1, 2, 3. По результатам испытаний были подтверждены выполнение требований п.2.2 технического задания и стойкость к воздействию внешних воздействующих факторов. Разработана рабочая КД и ТД на кристаллы МИС УВЧ литер 1, 2, 3. По документации разработан и изготовлен комплект фотошаблонов, а также изготовлены опытные образцы МИС УВЧ литер 1, 2, 3. Все поставленные на третьем этапе задачи выполнены полностью.