ИКРБС
№ 223082200030-83.1 Изготовление модуля измерения и управления МЭМС-датчиком. 3.2 Апробация технологического маршрута изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума. 3.3 Разработка лабораторной технологической инструкции на технологический процесс изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума. 3.4 Разработка программы и методик испытаний экспериментального образца теплового вакуумметра.
18.08.2023
Отчет состоит из 90 страниц, 76 иллюстраций, 5 таблиц, 9 приложений.
Ключевые слова: вакуумметр, МЭМС-датчик, давление газа, фотошаблон кристалла, травление, напыление, фрезерование, ЧПУ.
Целью выполнения НИОКР является разработка экспериментального образца теплового вакуумметра с использованием МЭМС-датчиков, а также конструирование кристалла МЭМС-датчика.
Целью выполнения данного этапа НИОКР является:
1. Изготовление модуля измерения и управления МЭМС-датчиком
2. Апробация технологического маршрута изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума.
3. Разработка лабораторной технологической инструкции на технологический процесс изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума.
4. Разработка программы и методик испытаний экспериментального образца теплового вакуумметра.
В процессе реализации НИОКР на третьем этапе выполнены следующие работы:
1. Были изготовлены необходимые механические делали для модуля измерения и управления МЭМС-датчиком вакуума. Был проведён монтаж печатной платы для модуля измерения и управления МЭМС-датчиком вакуума. Был собран (изготовлен) модуль измерения и управления МЭМС-датчиком вакуума.
2. Был успешно опробован технологический маршрут изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума.
3. Была разработана лабораторная технологическая инструкция изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума.
4. Была разработана программа и методики испытаний экспериментального образца теплового вакуумметра.
Работы данного этапа НИОКР выполнены своевременно и в полном объёме. Результаты работ полностью отвечают требованиям технического задания и календарного плана.
ГРНТИ
59.35.29 Приборы для измерения состава и физико-химических свойств газов
Ключевые слова
вакуумметр
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "МАКСИМА"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 3 750 000 ₽
Похожие документы
1.1 Разработка технического облика вакуумметра и MEMS-датчика вакуума.
1.2 Проектирование кристалла МЭМС-датчика вакуума.
1.3 Изготовление комплекта фотошаблонов кристалла МЭМС-датчика вакуума.
1.4 Разработка технологического маршрута изготовления кристалла МЭМС-датчика вакуума.
0.967
ИКРБС
2.1 Проектирование трехкамерного металло-керамического корпуса.
2.2 Изготовление образцов трехкамерного металло-керамического корпуса.
2.3 Проектирование модуля измерения и управления МЭМС-датчиком.
2.4 Отработка технологического процесса получения тонкопленочных терморезисторов в рамках технологического маршрута изготовления кристалла MEMS-датчика вакуума.
2.5 Отработка технологического процесса получения тонкой диэлектрической мембраны с низкой теплопроводностью в рамках технологического маршрута изготовления кристалла MEMS-датчика вакуума.
0.958
ИКРБС
«Разработка теплового МЭМС-сенсора с повышенным быстродействием по сравнению с представленными на рынке болометрическими и термопарными сенсорными элементами, чувствительными к ИК излучению.» (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) Этап №3 (заключительный)
0.917
ИКРБС
Изготовление макетных образцов МЭМС ИК-источников излучения. разработка программы и методики исследования. проведение экспериментальных исследований
0.914
ИКРБС
"Корректировка топологии экспериментального образца изделия на основе отработки новых технологических процессов. Моделирование сенсора в динамических процессах его работы. Изготовление скорректированных слоев комплекта фотошаблонов в соответствии с коррекцией топологии экспериментального образца сенсора. Изготовление полупроводниковых кристаллов экспериментального образца сенсора на КНИ-структурах по результатам корректировки топологии и технологических режимов. Исследование и анализ образцов методами электронно-растровой микроскопии. Сборка прототипов полупроводникового кристалла в корпуса. Компоновка стенда для измерения параметров сенсора. Предварительные измерения экспериментального образца сенсора. Отработка методик измерения параметров сенсора." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)
0.912
ИКРБС
Разработка топологии. Разработка эскизной КД. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца микросистемы. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка новых технологических процессов.
0.910
ИКРБС
Этап №3. "Разработка рабочих КД и ТД для изготовления опытных образцов. Разработка методик исследования образцов изделий. Разработка измерительных и испытательных оснасток. Изготовление опытных образцов продукта 1. Отработка и выполнение отдельных технологических операций по сборке опытных образцов продукта 1 (отмывка, плазменная очистка, отработка типа посадки, отработка процесса дозирования сушки клея, микросварка выводов). Проведение исследовательских испытаний опытных образцов продукта 1" (промежуточный)
0.908
ИКРБС
"Анализ соотношений между требуемыми функциональными параметрами сенсора и конфигурацией чувствительных элементов (подвешенная мембрана, теплопроводные консоли, поглощающий ИК-излучение слой, термоэлектрический элемент). Разработка топологии полупроводникового кристалла и его тестовых элементов. Моделирование конструкции сенсора в статическом состоянии. Выбор и обоснование основного материала – типоразмеров структур КНИ (SOI) и корпусов для изготовления экспериментальных образцов. Выбор и обоснование основного материала – комплектующих изделий для изготовления экспериментальных образцов. Разработка технологического маршрута изготовления экспериментального образца изделия. Разработка и изготовление оснастки для изготовления экспериментальных образцов. Разработка и изготовление оснастки для измерения экспериментальных образцов. Изготовление комплекта фотошаблонов. Отработка сборки прототипа полупроводникового кристалла в корпус. Отработка новых технологических процессов изготовления тестовых элементов полупроводникового кристалла на пластинах и КНИ-структурах. Исследование и анализ тестовых элементов методами электронно-растровой микроскопии." (договор 29ГТС1РЭС14/72115 от 24.12.2021) (промежуточный)
0.908
ИКРБС
Разработка экспериментального образца теплового вакуумметра с использованием МЭМС-датчиков
0.906
ИКРБС
Разработка опытных образцов МЭМС-датчиков для медицинских устройств мониторинга состояния здоровья человека (заключительный)
0.904
ИКРБС