Доработка технологии осаждения пленок диоксида ванадия различной плотности покрытия и толщины методом гидротермальной обработки и последующей термообработки. Исследование состава, структуры и свойств полученных покрытий VO2. Анализ электрических и тестирование оптических свойств(в диапазоне ТГц излучения) полученных покрытий. Разработка оптимальной архитектуры одиночного неохлаждаемого элемента на основе диоксида ванадия с помощью математического моделирования. (промежуточный)

Отчет 47 с., 1 кн., 18 рис., 2 источника, 1 прил. Ключевые слова: микроэлектроника, тгц-визуализация, тгц, ик, микроболометр, диоксид ванадия, покрытия и тонкие пленки Цель работы: Доработка технологии осаждения пленок диоксида ванадия различной плотности покрытия и толщины методом гидротермальной обработки и последующей термообработки. Исследование состава, структуры и свойств полученных покрытий VO2. Анализ электрических и тестирование оптических свойств (в диапазоне ТГц-излучения) полученных покрытий. Разработка оптимальной архитектуры одиночного неохлаждаемого элемента на основе диоксида ванадия с помощью математического моделирования. В ходе 1 этапа проекта доработана технология осаждения пленок диоксида ванадия различной плотности покрытия и толщины методом гидротермальной обработки и последующей термообработки. Применены современные методы гидротермальной обработки, показаны возможности масштабирования технологии для получения оксидных покрытий различных толщин. Исследованы состав, структур и свойства полученных покрытий VO2. Проведены анализ электрических и тестирование оптических свойств (в диапазоне ТГц излучения) полученных покрытий. Температура перехода чувствительного слоя может быть контролируемо подстроена в рамках диапазона 30-70 С. Материал чувствителен в волнам ТГц диапазона (85–3000 мкм). Общее изменение интегральной интенсивности ТГц-сигнала в случае пленок VO2 на С-сапфире составило около 20 раз, что является весьма высоким показателем и дает возможность использовать разрабатываемый подход к изготовлению чувствительных оптических элементов для работы в ТГц-диапазоне. Разработана оптимальная архитектура одиночного неохлаждаемого элемента на основе диоксида ванадия с помощью математического моделирования. Показано, что болометр на основе диоксида ванадия с характеристиками материала, полученного по технологии, доработанной в рамках этапа, может эксплуатироваться без дополнительного охлаждения при рабочих температурах в районе комнатных. Все заявленные задачи этапа выполнены в полном объеме и полностью соответствуют техническому заданию и календарному плану