ИКРБС
№ 223082100006-4Разработка, создание и измерение пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON» (заключительный)
29.07.2023
Отчет 1ч., 108с., 76 рис., 26 табл., 8прил., 12 ист.
ВОЛНОВОД, МОДОВЫЙ КОНВЕРТЕР, ИЗГИБЫ ВОЛНОВОДОВ, ЛИНИЯ ЗАДЕРЖКИ, Y – РАЗВЕТВИТЕЛЬ, НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ, МНОГОМОДОВАЯ ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ, MMI, ПЕРЕСЕЧЕНИЕ ВОЛНОВОДОВ, КОЛЬЦЕВОЙ РЕЗОНАТОР, ВОЛНОВОДНАЯ БРЭГГОВСКАЯ РЕШЁТКА, ИНТЕРФЕРОМЕТР МАХА-ЦАНДЕРА, ДИФРАКЦИОННАЯ ВОЛНОВОДНАЯ РЕШЁТКА, AWG.
Настоящий НТО разработан ООО «ФИСТЕХ» в соответствии с требованиями технического задания на выполнение НИОКР «Разработка, создание и измерение пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON» во исполнение Договора (Соглашения) №34ГТС1РЭС14/72131 о предоставлении гранта на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ от 24 декабря 2021г., заключенного с Федеральным государственным бюджетным учреждением «Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере».
Основной целью НИОКР является разработка, создание и измерение пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON. Настоящий отчёт содержит научно-технические результаты выполнения трех этапов работы «Разработка, создание и измерение пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON». Данный отчет содержит в себе кратко изложенные материалы двух промежуточных отчетов по этапам 1 и 2 по темам: «Разработка, создание и измерение пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON.» и «Отработка техпроцессов фотолитографии, плазмохимического травления, осаждения пленок, термообработок. Разработка эскизного маршрута изготовления библиотечных компонентов ФИС. Изготовление экспериментальных образцов пассивных компонентов ФИС. Разработка программы и методик исследовательских испытаний экспериментальных образцов библиотечных компонентов ФИС.», соответственно. Так же данный отчет содержит новые материалы по работам 3 этапа по теме: «Проведение комплекса работ по подготовке экспериментальных образцов к исследовательским испытаниям в соответствии с ПМИ. Проведение исследовательских испытаний экспериментальных образцов в соответствии с ПМИ. Разработка проекта ТЗ на выполнение ОКР по разработке опытного образца.»
Целями первого этапа работ являлись: разработка комплекта фотошаблонов пассивных компонентов фотонных интегральных схем (ФИС) для дальнейшего тестирования и оптимизации; выбор и отработка технологии изготовления. В рамках отработки технологии целями проекта являлись разработка техпроцессов фотолитографии, термообработок, плазмохимического травления, осаждения пленок, проведение промежуточного технологического контроля.
Комплект фотошаблонов был разработан с учетом технологических требований фабрики в результате численного моделирования пассивных компонентов и их первичной оптимизации. Результаты были переданы фабрике в виде GDS масок с указаниями слоев, толщин и их геометрических параметров.
В ходе работы, была выбрана и описана необходимая технология изготовления ФИС. Были разработаны частные технические задания (ЧТЗ) на основные технологические процессы, на основе которых был проведен расчет технологических параметров канальной волноводной структуры на кремниевой подложке, состоящей из нижнего кладдинга (нижнего буферного слоя), волноводного слоя и верхнего кладдинга (верхней оболочки). По результатам данных исследований было подготовлено ЧТЗ на отработку процесса формирования фотокопии, на основе которого был разработан фотошаблон для дальнейшего тестирования разработанных компонентов ФИС.
Целями второго этапа являлись: отработка техпроцессов изготовления библиотечных компонентов ФИС; изготовление экспериментальных образцов пассивных компонентов ФИС; подготовка ПМИ экспериментальных образцов.
Таким образом, в процессе выполнения второго этапа работ были получены следующие результаты:
– отработаны технологические режимы формирования нижнего кладдинга и верхнего кладдингов из SiO2;
– отработаны технологические режимы формирования волноводного слоя оксинитрида кремния (SiON) контрастностью в диапазоне 2…3%;
– исследованы технологические режимы травления волноводного слоя через маски хрома, альфа-кремния и резиста. Наилучшие результаты были получены для использования маски фоторезиста;
– разработана технология формирования волноводной канальной структуры на основе волноводов толщиной до 3мкм;
– разработан эскизный маршрут изготовления элементов ФИС;
– изготовлен фотошаблон для степпера Nikon NSR4425i для конечной подготовки экспериментальных образцов, а также сами экспериментальные образцы;
– подготовлена программа методики измерений для последующего измерения необходимых параметров фотошаблона.
Целями третьего этапа являлись: подготовка и проведение исследовательских испытаний экспериментальных образцов к исследовательским испытаниям в соответствии с ПМИ; разработка проекта ТЗ на выполнение ОКР по разработке опытного образца.
Таким образом, в ходе выполнения третьего этапа были получены следующие результаты:
– проведён комплекс работ по подготовке экспериментальных образцов к испытаниям (см. Приложение Г);
– проведены измерения лабораторных образцов в соответствии с ПМИ;
– подготовлены Протокол и Акт анализа и измерения лабораторных образцов (см. Приложения А и Б);
– подготовлен итоговый НТО
– подготовлено ТЗ на выполнение ОКР по разработке опытного образца (см. Приложение Д).
В результате исследования сформированных структур базовых элементов были получены следующие результаты: Для ключевых компонентов были достигнуты требования ТЗ, для модовых конвертеров, Y-разветвителей, и направленных ответвителей требования ТЗ не были выполнены, однако отклонения незначительные и не по всем параметрам, к тому же, при дальнейшей доработке технологии и дизайна, требования ТЗ достижимы. Поэтому можно сделать вывод о необходимости по продолжению работ и дальнейшему итеративному улучшению технологии. На основе разработанной в ходе проекта технологии и компонентов возможна дальнейшая разработка устройств, применяемых в оптических телекоммуникациях, сенсорике, биофотонике, и оптических вычислениях. Данная технология, являясь технологией ФИС, позволяет получить более дешевые, компактные и надежные оптические устройства, в чем и заключается её экономическая эффективность. В ходе работ были получены следующие РИД: «Программа для дизайна и генерации фотошаблона для производства библиотечных пассивных элементов фотонных интегральных схем на платформе SiON» и «Фотошаблон для изготовления пассивных элементов структуры фотонных интегральных схем на платформе SiON». В результате проведения работ по проекту пункты всех этапов календарного плана были успешно выполнены. Сделан ключевой вывод о принципиальной возможности создания функциональных устройств на данной платформе, и выявлены компоненты требующие доработки.
ГРНТИ
49.13.13 Проектирование и конструирование устройств связи
Ключевые слова
Интегральная фотоника
Фотонные интегральные схемы
Пассивные компоненты ФИС
Оксинитрид кремния
Технологии изготовления интегральных схем
Детали
НИОКТР
Заказчик
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
Исполнитель
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ФИСТЕХ"
Бюджет
Средства фондов поддержки научной и (или) научно-технической деятельности: 4 500 000 ₽
Похожие документы
Этап №2" Разработка технологического маршрута изготовления СВЧ фотодиодов на основе материала InP с гетеропереходом с квантовыми ямами. Разработка технологии корпусирования и монтажа фотонных интегральных схем. Разработка методики измерения электрических параметров широкополосного трансимпедансного усилителя (ТИУ). Разработка технологического маршрута изготовления и конструкций интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках. Определение состава, выбор и обоснование полупроводниковых подложек, материалов и
комплектующих для изготовления трансимпедансных усилителей."(промежуточный)
0.931
ИКРБС
Доработка программного модуля для расчета поперечного сечения оптического волновода (методом конечных разностей) для моделирования анизотропных волноводов. Программная реализация метода разложения электромагнитного поля по собственным модам. Разработка программного модуля оценки эффективности ввода оптического излучения в оптический волновод с заданием параметров входящего излучения. Увеличение количества геометрических примитивов для отрисовки элементов ФИС. Разработка прототипа интерфейса в части задания параметров моделирования, 3d визуализации и построения 3d сетки. Выполнение промежуточного тестирования программного модуля для расчета поперечного сечения оптического волновода (методом конечных разностей) для моделирования анизотропных волноводов.
0.930
ИКРБС
Отчет о научно-исследовательской работе «Разработка технологического маршрута изготовления элементов связи периодического типа моды лазерной структуры и моды канального волновода на КНИ» (заключительный)
0.928
ИКРБС
Этап №1"Определение состава, выбор и обоснование гетероструктурных подложек из полупроводникового материала InP, материалов и комплектующих для изготовления СВЧ фотодиодов. Разработка технологических операций изготовления СВЧ фотодиодов на основе полупроводникового материала InP. Оценка технологий изготовления ИС ТИУ, выбор технологии. Разработка топологии сверхширокополосных ИС ТИУ с полосой пропускания с полосой до 20 ГГц на основе отечественного GaAs или КМОП техпроцесса. Разработка методики измерения электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Разработка технологических операций изготовления интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках." (промежуточный)
0.927
ИКРБС
Разработка комплекта фотошаблонов пассивных компонентов ФИС. Изготовление комплекта фотошаблонов пассивных компонентов ФИС. Проведение анализа и обоснование выбора предлагаемой технологии изготовления ФИС. Разработка предварительного маршрута изготовления, выдача частных ТЗ на разработку техпроцессов фотолитографии, термообработок, плазмохимического травления, осаждения пленок, проведение промежуточного технологического контроля. Опробование комплекта фотошаблонов, подготовка заключения о пригодности комплекта.
0.925
ИКРБС
Разработка программных модулей для численного моделирования элементов фотонных интегральных схем. Разработка математических моделей базовых элементов фотонных интегральных схем. Разработка математических моделей несовершенства оптических волноводов. Разработка программного обеспечения без графического пользовательского интерфейса. Отладка программных модулей для численного моделирования элементов фотонных интегральных схем за счет оптимизации алгоритмов решения численных задач, оптимизации кода в части модулей для расчета поперечного сечения оптического волновода, для аппроксимации трехмерной задачи двухмерной, для моделирования распространения оптического излучения через топологию элементов фотонной интегральной схемы, для моделирования на основе матриц передач
0.924
ИКРБС
Отработка техпроцессов фотолитографии, плазмохимического травления, осаждения пленок, термообработок. Разработка эскизного маршрута изготовления библиотечных компонентов ФИС. Изготовление экспериментальных образцов пассивных компонентов ФИС. Разработка программы и методик исследовательских испытаний экспериментальных образцов библиотечных компонентов ФИС.
0.923
ИКРБС
Этап №3 «Разработка технологических операций изготовления СВЧ транзисторов и компонентов интегральной схемы ТИУ. Изготовление экспериментальных образцов СВЧ фотодиодов. Экспериментальное исследование электрических и оптических параметров интегрального СВЧ фотодиода. Системный расчет и моделирование параметров оптических приемников на основе ИС ФД и ИС ТИУ. Изготовление и измерение экспериментальных образцов интегральных пассивных оптических элементов на кремниевых подложках (волноводы, устройства ввод-вывода, делители). Определение состава, выбор и обоснование металлокерамических корпусов и комплектующих для сборки оптического приемного модуля.»
0.922
ИКРБС
Технология компонентов фотонных интегральных схем на основе многослойных нитрид-кремниевых структур
0.921
НИОКТР
ОТЧЕТ ПО НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОЙ РАБОТЕ "Разработка технологии МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых гетероструктyр лазерных источников для гетерогенной интеграции Si/A3B5" промежуточный, этап 2: «Разработка базовой технологии роста методом МОС-гидридной эпитаксии планарных волноводных гетероструктур In-Ga-Al-As-P/InP для гетерогенно-интегрированных структур КНИ/А3В5»
0.920
ИКРБС