Электронные корреляции в анизотропных системах в области фазовых переходов

Объектом исследования являются электронно-легированные ВТСП Nd2-xCexCuO4+δ , гибридные полупроводниковые перовскиты CH3NH3PbX3 (X=I, Br, Cl) и гетероструктуры InyGa1-yAs/InxAl1-xAs с большим содержанием InAs . Цель проекта - получить информацию об условиях анизотропного переноса носителей заряда и движения вихревой подсистемы и выяснить причины и роль электронных корреляций в области фазовых переходов различной природы, приводящих к появлению сверхпроводимости в электронно-легированных ВТСП-системах, определяющих процессы переноса заряда и спина в полупроводниковых гетероструктурах и устанавливающих взаимосвязь фазовых переходов с упругими и оптоэлектронными свойствами в гибридных металлоорганических перовскитах. Проект, поддержанный инициативным грантом Российского фонда фундаментальных исследований (в настоящее время – Российский центр научной информации), выполнялся с 2020 по 2022 г. В результате проведенных электрических, магнитных и гальваномагнитных исследований в анизотропных сверхпроводящих и полупроводниковых системах в области фазовых переходов получены данные, подтверждающие определяющую взаимосвязь анизотропии кристаллической структуры изученных систем и анизотропии электронных корреляций, которые приводят к появлению либо исчезновению фазового упорядочения при изменении внешних воздействий. Степень внедрения – полученные нами результаты исследования транспортных, магнитных, упругих и оптических свойств анизотропных материалов выявили перспективные способы управления концентрацией и типом носителей заряда в устройствах на их основе, позволили усовершенствовать методики лабораторных технологий изготовления исследуемых соединений и перейти к возможности модернизации солнечных элементов, ячеек памяти, разработки оптоэлектронных устройств на основе гибридных перовскитов и кубитов на основе джозефсоновских контактов в слоистых электронных сверхпроводниках.